G310 Datasheet, PDF (1/3 Pages) KODENSHI KOREA CORP. – Anti-visible rays due to visible ray cut resin for detector type

フォトインタラプタ PHOTOINTERRUPTERS
G310ɾST310
発光ダイオード、フォトトランジスタをコネクタ付きにてそれぞれをプラスチックパッケージに組み込みました。発光、受光を一対にて使用
することで100mm程度までの透過型フォトセンサとなります。実装が容易であり、防塵効果も高いため、用紙等の検知用として最適です。
A emitting diode and a phototransistor with connector have been put ineach package. The use of the emitter and detector as a pair enables it
to work as a penetrative type photo- sensor of approximately 100mm (Can be practically used as a reflective type sensor). Can be used as
a paper sensor due to easy equipping and its high anti- dust factor.
G310 : 赤外発光ダイオード　/　Infrared　emitting diode
ST310 : フォトトランジスタ　/　Phototransistor
特長 FEATURES
● 受光タイプは可視光カット樹脂により外乱光に強い
Anti-visible rays due to visible ray cut resin for detector type
● _{コネクタ接続タイプ (JAE IL-Y タイプ)}
Connector type (JAE IL-Y type)
● 防塵構造
Dust proof
用途 APPLICATIONS
ATM、自動改札機、カードリーダー/ライター、光電スイッチ
ATM, Auto stampers, Card readers/writers, Optical switches
最大定格 MAXIMUM RATINGS
（Ta＝25℃）
Item
Symbol Rating Unit
許 容 損 失 Power dissipation
PD
発 光 ^{順 電 流 Forward current}
IF
Emitter _{逆 電 圧 Reverse voltage}
VR
コレクタ損失 Collector power dissipation Pc
100 mW
60
mA
5
V
100 mW
コレクタ電流
受光
Collector current
Detector ^{コレクタ-エミッタ間電圧 Collector-Emitter voltage}
エミッタ-コレクタ間電圧 Emitter-Collector voltage
動 作 温 度 Operating temp.
*1
保 存 温 度 Storage temp.
*1
＊1. 氷結、結露の無き事
No icebound or dew
Ic
VCEO
VECO
Topr.
Tstg.
40
mA
30
V
5
V
－25～＋75 ℃
－30～＋85 ℃
電気的光学的特性 ELECTRO-OPTICAL　CHARACTERISTICS
Item
順
電
圧 Forward voltage
発光 ^逆
電
流 Reverse current
Emitter _{ピ ー ク 発 光 波 長 Peak wavelength}
指 向 半 値 角 Half angle
暗
電
流 Collector dark current
受 光 ^{ピ ー ク 発 光 波 長 Peak wavelength}
Detector _{指 向 半 値 角 Half angle}
コレクタ-エミッタ間飽和電圧 C-E saturation voltage
変 換 効 率 Current transfer ratio
結合特性
Combination _{応答時間（立ち上がり） Rise time}
応答時間（立ち下がり） Fall time
Symbol
VF
IR
λp
Δθ
ICEO
λp
Δθ
VCE(sat)
CTR
tr
tf
Conditions
IF=20mA
VR=5V
IF=60mA
IF=60mA
VCE=10V,0 lx
─
─
IC=0.5mA, 2000 lx
IF=10mA, L=10mm, VCE=5V
IF=20mA, L=100mm, VCE=5V
VCC=5V, L=100mm
IF=20mA, RL=330Ω
Min. Typ.
─
1.2
─
─
─
940
─
±5
─
1
─
880
─
±5
─
0.2
47
110
3
7
─
6
─
8
（Ta＝25℃）
Max. Unit.
1.4
V
10 μA
─
nm
─ deg
100 nA
─
nm
─ deg
0.4
V
280
%
18
%
─ μs
─ μs
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Sep.2012