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T0810NUP Datasheet, PDF (3/6 Pages) JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. – AC switching
R
T0810NUP
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC (TC=25℃)
项目
符号
测试条件
Parameter
Symbol
Condition
峰值重复断态电流
Peak Repetitive Blocking IDRM VDM=VDRM, Tj=150℃,
Current
gate open
峰值通态电压
Peak on-state voltage VTM ITM=11.3A
最小 典型 最大 单位
Min Typ Max Unit
-
- 1.0 mA
-- 1.3 1.55 V
门极触发电流
Gate trigger current
MT1(-),MT2(+),G(+) 5
VDM=12V,
IGT RL=100Ω MT1(-),MT2(+),G(-)
5
MT1(+),MT2(-),G(-) 9
- 15 mA
- 15 mA
- 15 mA
门极触发电压
Gate trigger voltage
维持电流
Holding current
MT1(-),MT2(+),G(+) 0.5 0.7 1.0 V
VDM=12V,
VGT RL=100Ω MT1(-),MT2(+),G(-) 0.5 0.7 1.5
V
MT1(+),MT2(-),G(-) 0.5 0.7 1.5 V
IH VDM=12V, IGT=0.1A
-
- 20 mA
擎住电流
Latching current
MT1(-),MT2(+),G(+) -
-
VDM=12V,
IL
MT1(-),MT2(+),G(-) -
-
IGT=0.1A
MT1(+),MT2(-),G(-) -
-
断态临界电压上升率
VDM=67% VDRM(MAX),
Rise of off- state voltage
dV/dt
Tj=150℃, gate open
500 -
门 极 开 通 时 间 Gate
ITM=6A, VDM=VDRM(MAX),
controlled turn-on time
tgt
IG=0.1A, dIG/dt=5A/μS
-2
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
30 mA
30 mA
30 mA
- V/μs
- μs
项目
Parameter
结到安装面的热阻
Thermal resistance
junction to mounting base
符号
Symbol
条件
Condition
Rth(j-mb) full cycle(TO-220HF)
最小 典型 最大 单位
Min Typ Max Unit
2.0 ℃/W
版本:201506A
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