3CT4S Datasheet, PDF (3/8 Pages) JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. – AC switching

R
3CT4S
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC (T_C=25℃)
项目
符号
测试条件
最小
Parameter
Symbol
Condition
Min
峰值重复断态电流
V_DM=V_DRM, Tj=25℃, gate open -
Peak Repetitive Blocking _IDRM
Current
V_DM=V_DRM, Tj=125℃, gate open -
峰值通态电压
Peak on-state voltage ^{VTM ITM=5A}
-
典型
Typ
-
-
1.4
最大
Max
10
0.5
1.7
单位
Unit
μA
mA
V
门极触发电流
Gate trigger current
MT1(-),MT2(+),G(+) -
V_DM=12V, MT1(-),MT2(+),G(-) -
I_{GT RL=100Ω MT1(+),MT2(-),G(-)}
-
MT1(+),MT2(-),G(+) -
- 10 mA
- 10 mA
- 10 mA
- 25 mA
门极触发电压
Gate trigger voltage
维持电流
Holding current
MT1(-),MT2(+),G(+) -
V_DM=12V,
V_{GT RL=100Ω} MT1(-),MT2(+),G(-)
-
MT1(+),MT2(-),G(-) -
I_H V_DM=12V, I_GT=0.1A
-
0.7 1.5 V
0.7 1.5 V
0.7 1.5 V
- 15 mA
擎住电流
Latching current
MT1(-),MT2(+),G(+) -
V_DM=12V,
I_L
MT1(-),MT2(+),G(-) -
I_GT=0.1A
MT1(+),MT2(-),G(-) -
断态临界电压上升率
V_DM=67% V_DRM(MAX),
Rise of off- state voltage
dV/dt
Tj=125℃, gate open
-
门 极 开 通 时 间 Gate
I_TM=6A, V_DM=V_DRM(MAX),
controlled turn-on time
tgt
I_G=0.1A, dI_G/dt=5A/μS
-
- 25 mA
- 25 mA
- 25 mA
50 - V/μs
2
- μs
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项目
Parameter
结到管壳的热阻
Thermal resistance
junction to case
符号
Symbol
条件
Condition
full cycle(TO-220)
R_th(j-c) full cycle(TO-220HF)
full cycle(TO-126)
最小 典型 最大 单位
Min Typ Max Unit
3.0 ℃/W
4.5 ℃/W
4.0 ℃/W
电绝缘特性 ELECTRICAL ISOLATION
项目
Parameter
绝缘电压
Isolation voltage
符号
Symbol
条
件
Condition
V_{ISOL 1 minute, leads to mounting tab TO-220HF}
数 值 单位
Value Unit
2000 V
版本：201510H
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