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JCS7N60FA Datasheet, PDF (2/8 Pages) JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. – N-CHANNEL MOSFET
R
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
JCS7N60FA
项目
Parameter
符号
Symbol
最高漏极-源极直流电压
Drain-Source Voltage
VDSS
连续漏极电流
Drain Current -continuous
ID
T=25℃
T=100℃
最大脉冲漏极电流(注 1)
Drain Current - pulse
(note 1)
IDM
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
VGSS
单脉冲雪崩能量(注 2)
Single Pulsed Avalanche Energy(note 2) EAS
雪崩电流(注 1)
Avalanche Current(note 1)
IAR
重复雪崩能量(注 1)
Repetitive Avalanche Current(note 1) EAR
二极管反向恢复最大电压变化速率(注 3)
Peak Diode Recovery dv/dt(note 3)
dv/dt
耗散功率
Power Dissipation
最高结温及存储温度
PD
TC=25℃
-Derate
above
25℃
Operating and Storage
Range
引线最高焊接温度
Temperature
TJ,TSTG
Maximum Lead Temperature
Soldering Purposes
*漏极电流由最高结温限制
for TL
*Drain current limited by maximum junction temperature
数值
Value
JCS7N60FA
600
7.0*
4.4*
28*
±30
420
7.0
14.7
5.5
48
0.38
-55~+150
300
单位
Unit
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/℃
℃
℃
版本:201003A
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