BDW93C Datasheet, PDF (2/5 Pages) STMicroelectronics – COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

R
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
项目
符号
集电极—发射极直流电压
集电极—发射极直流电压
发射极—基极直流电压
最大集电极直流电流
最大集电极脉冲电流
最大基极直流电流
最大集电极耗散功率
最高结温
贮存温度
Parameter
Symbol
Collector- Emitter Voltage（V_BE=0） V_CES
Collector- Emitter Voltage（I_B=0） V_CEO
Emitter-Base Voltage
V_EBO
Collector Current（DC）
I_C
Collector Current（pulse）
I_CP
Base Current（DC）
I_B
Total Dissipation (TO-220C)
P_C
Junction Temperature
T_j
Storage Temperature
T_stg
BDW93C
数值
Value
100
100
5
12
15
200
80
150
-55~+150
单位
Unit
V
V
V
A
A
mA
W
℃
℃
电特性 ElECTRICAL CHARACTERISTIC
项目
测试条件
最小值 典型值 最大值
Parameter
Tests conditions
Value(min) Value(typ) Value(max)
V(BR)_CEO
V(BR)_CBO
I_CBO
I_CEO
I_EBO
Hfe(1)
Hfe(2)
Hfe(3)
V_CE(sat)(1)
V_CE(sat)(2)
V_BE(sat)(1)
V_BE(sat)(2)
I_C=10mA,I_B=0
I_C=1mA,I_E=0
V_CB=100V, I_E=0
V_CE=100V,I_B=0
V_EB=5V, I_C=0
V_CE =3V, I_C=3A
V_CE =3V, I_C=5A
V_CE =3V, I_C=10A
I_C=5A, I_B=20mA
I_C=10A, I_B=100mA
I_C=5A, I_B=20mA
I_C=10A, I_B=100mA
100
-
-
100
-
-
-
-
0.1
-
-
1
-
-
2
1000
-
-
750
-
20K
100
-
-
-
-
2.0
-
-
3.0
-
-
2.5
-
-
4.0
单位
Unit
V
V
mA
mA
mA
V
V
V
V
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项目
Parameter
结到管壳的热阻 TO-220C
Thermal Resistance Junction Case TO-220C
符 号 最小值 最大值
Symbol Value(min) Value(max)
单位
Unit
Rth(j-c)
-
1.563
℃ /W
版本：201603A
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