3DFH3504Z Datasheet, PDF (2/5 Pages) JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. – HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

R
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
3DFH3504Z
项目
符号 数值 单位
Parameter
Symbol Value
Unit
集电极—发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage（V_BE=0） V_CES
550
V
集电极—发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage（I_B=0） V_CEO
发射极—基极直流电压 Emitter-Base Voltage
V_EBO
350
V
10
V
最大集电极直流电流
Collector Current（DC）
I_C
4
A
最大集电极脉冲电流
Collector Current（pulse）
I_CP
8
A
最大基极直流电流
Base Current（DC）
I_B
0.5
A
最大基极脉冲电流
Base Current（pulse）
I_BP
2.5
A
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (TO-220)
P_C
100
W
最高结温
Junction Temperature
T_j
150
℃
贮存温度
Storage Temperature
T_stg
-55~+150 ℃
注：pulse电流宽度为小于5ms的非重复单脉冲。 Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle < 10%.
电特性 ElECTRICAL CHARACTERISTIC
项目
测试条件
最小值 典型值 最大值
Parameter
Tests conditions
Value(min) Value(typ) Value(max)
V(BR)_CEO
V(BR)_CBO
V(BR)_EBO
I_CBO
I_CEO
I_C=10mA,I_B=0
I_C=1mA,I_B=0
I_E=1mA,I_C=0
V_CB=550V, I_E=0
V_CE=350V,I_B=0
350
-
-
550
-
-
10
-
-
-
-
100
-
-
50
I_EBO
Hfe(1)
Hfe(2)
V_EB=10V, I_C=0
V_CE =3V, I_C=2A
V_CE =3V, I_C=4A
-
-
10
2000
-
-
500
-
-
V_CE(sat)
V_BE(sat)
tf
ts
I_C=2A, I_B=20mA
I_C=2A, I_B=20mA
V_CC=12V I_C=2A,I_B1=-I_B2=20mA
-
-
1.5
-
-
2.0
-
1.5
-
-
15
-
单位
Unit
V
V
V
μA
μA
μA
V
V
μS
μS
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项目
Parameter
结到管壳的热阻 TO-220
Thermal Resistance Junction Case TO-220
符 号 最小值 最大值
Symbol Value(min) Value(max)
单位
Unit
Rth(j-c)
-
1.25
℃ /W
版本：200910C
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