3DD5602 Datasheet, PDF (2/6 Pages) JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. – HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

R
3DD5602(IUM)
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
项目
Parameter
集电极—基极
Collector- Base Voltage
集电极—发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage
发射极—基极直流电压 Emitter-Base Voltage
最大集电极直流电流
Collector Current（DC）
最大集电极脉冲电流
最大集电极耗散功率
最大集电极耗散功率
最高结温
贮存温度
Collector Current（pulse）
Total Dissipation (TO-251/252)
Total Dissipation (TO-126)
Junction Temperature
Storage Temperature
符号
Symbol
V_CBO
V_CEO
V_EBO
I_C
I_CP
P_C
P_C
T_j
T_stg
数值
Value
1500
800
6
1.0
2.0
10
20
150
-55~+150
单位
Unit
V
V
V
A
A
W
W
℃
℃
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC
项目
测试条件
最小值 典型值 最大值
Parameter
Tests conditions
Value(min) Value(typ) Value(max)
V(BR)_CEO
V(BR)_CBO
V(BR)_EBO
I_CBO
I_CEO
I_EBO
hFE
V_CE(sat)
V_BE(sat)
tf
ts
fT
I_C=10mA,I_B=0
I_C=1mA,I_B=0
I_E=1mA,I_C=0
V_CB=1400V, I_E=0
V_CE=780V,I_B=0
V_EB=6V, I_C=0
V_CE=5V, I_C=100mA
V_CE=5V, I_C=1.0A
I_C=0.5A, I_B=0.1A
I_C=1.0A, I_B=0.2A
V_CC=24V I_C=0.25A,I_B1=-I_B2=0.05A
V_CC=24V I_C=0.25A,I_B1=-I_B2=0.05A
V_CE=10V, I_C=0.1A
800
850
-
1500
1600
-
6
8
-
-
-
5
-
-
10
-
--
5
20
30
40
3.0
5.0
-
-
0.3
0.8
-
0.8
1.2
-
-
0.7
-
-
5
4
-
-
单位
Unit
V
V
V
μA
μA
μA
-
-
V
V
μS
μS
MHz
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项目
Parameter
结到环境的热阻 TO-251/252
Thermal Resistance Junction Case TO-251/252
结到管壳的热阻 TO-126
Thermal Resistance Junction Case TO-126
符号
Symbol
Rth(j-c)
Rth(j-c)
最小值 最大值
Value(min) Value(max)
-
12.5
-
6.25
单位
Unit
℃ /W
℃ /W
版本：200910C
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