3DD4244D Datasheet, PDF (2/5 Pages) JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. – HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

R
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
3DD4244D(M/Z)
项目
符号 数值 单位
Parameter
Symbol Value
Unit
集电极—发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage（V_BE=0） V_CES
700
V
集电极—发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage（I_B=0） V_CEO
400
V
发射极—基极直流电压 Emitter-Base Voltage
V_EBO
9.0
V
最大集电极直流电流
Collector Current（DC）
I_C
3.0
A
最大集电极脉冲电流
Collector Current（pulse）
I_CP
6.0
A
最大基极直流电流
Collector Current（DC）
I_B
1.0
A
最大基极脉冲电流
Collector Current（pulse）
I_BP
2.0
A
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (TO-126)
P_C
30
W
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (TO-220)
P_C
60
W
最高结温
Junction Temperature
T_j
150
℃
贮存温度
Storage Temperature
T_stg
-55~+150 ℃
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC
项目
测试条件
最小值 典型值 最大值
Parameter
Tests conditions
Value(min) Value(typ) Value(max)
V(BR)_CEO
V(BR)_CBO
V(BR)_EBO
Ic=10mA,I_B=0
Ic=1mA,I_B=0
I_E=1mA,Ic=0
400
460
-
700
800
-
9
16
-
I_CBO
V_CB=600V, I_E=0
I_CEO
V_CE=400V,I_B=0
I_EBO
V_EB=9V, I_C=0
-
-
5
-
-
10
-
-
5
hFE
V_CE(sat)
V_CE=5V, I_C=500mA
V_CE=5V, I_C=2.0A
I_C=1.5A, I_B=0.5A
10
20
30
6
12
-
-
0.3
1.5
V_BE(sat)
tf
ts
I_C=1.0A, I_B=0.25A
V_CC=24V I_C=2.0A,I_B1=-I_B2=0.4A
-
1.0
1.2
-
-
0.7
-
-
4
fT
V_CE=10V, Ic=0.5A
4
-
-
单位
Unit
V
V
V
μA
μA
μA
-
-
V
V
μS
μS
MHz
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项目
Parameter
结到管壳的热阻 Thermal Resistance Junction Case
结到管壳的热阻 Thermal Resistance Junction Case
TO-126
TO-220
符 号 最小值 最大值 单 位
Symbo min max Unit
Rth(j-c)
Rth(j-c)
-
4.17 ℃/W
-
2.08 ℃/W
版本：201102B
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