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3DD4205D Datasheet, PDF (2/6 Pages) JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. – HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
R
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
3DD4205D
项目
符号 数值 单位
Parameter
Symbol Value
Unit
集电极—发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage(VBE=0) VCES
700
V
集电极—发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage(IB=0) VCEO
发射极—基极直流电压 Emitter-Base Voltage
VEBO
400
V
9
V
最大集电极直流电流
Collector Current(DC)
IC
4
A
最大集电极脉冲电流
Collector Current(pulse)
ICP
8
A
最大基极直流电流
Base Current(DC)
IB
2
A
最大基极脉冲电流
Base Current(pulse)
IBP
4
A
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (TO-126)
PC
40
W
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (TO-220)
PC
75
W
最高结温
Junction Temperature
Tj
150
℃
贮存温度
Storage Temperature
Tstg
-55~+150 ℃
注:pulse电流宽度为小于5ms的非重复单脉冲。 Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle < 10%.
电特性 ElECTRICAL CHARACTERISTIC
项目
测试条件
最小值 典型值 最大值
Parameter
Tests conditions
Value(min) Value(typ) Value(max)
V(BR)CEO
V(BR)CBO
V(BR)EBO
ICBO
ICEO
IEBO
IC=10mA,IB=0
IC=1mA,IB=0
IE=1mA,IC=0
VCB=700V, IE=0
VCE=400V,IB=0
VEB=9V, IC=0
400
-
-
700
-
-
9
-
-
-
-
100
-
-
50
-
-
10
Hfe(1)
Hfe(2)
VCE(sat)(1)
VCE =5V, IC=5mA
VCE =5V, IC=500mA
IC=1A, IB=0.2A
6
-
40
8
-
40
-
-
1.5
VCE(sat)(2)
VBE(sat)
tf
ts
IC=3A, IB=1A
IC=2A, IB=0.5A
VCC=24V IC=2A,IB1=-IB2=0.4A
-
-
1.8
-
-
1.6
-
-
0.7
-
-
4
fT
VCE=10V, IC=0.5A
4
-
-
单位
Unit
V
V
V
μA
μA
μA
V
V
V
μS
μS
MHz
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项目
Parameter
结到管壳的热阻 TO-126
Thermal Resistance Junction Case TO-126
结到管壳的热阻 TO-220
Thermal Resistance Junction Case TO-220
符 号 最小值 最大值
Symbol Value(min) Value(max)
单位
Unit
Rth(j-c)
-
3.125
℃ /W
Rth(j-c)
-
1.67
℃ /W
版本:200910C
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