3DD4123DT Datasheet, PDF (2/6 Pages) JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. – MIDDLING VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

R
3DD4123DT、3DD4123DM
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
项目
符号 数值 单位
Parameter
Symbol Value
Unit
集电极—发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage（V_BE=0） V_CES
350
V
集电极—发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage（I_B=0） V_CEO
200
V
发射极—基极直流电压 Emitter-Base Voltage
V_EBO
7
V
最大集电极直流电流
Collector Current（DC）
I_C
2
A
最大集电极脉冲电流
Collector Current（pulse）
I_CP
4
A
最大基极直流电流
Base Current（DC）
I_B
1
A
最大基极脉冲电流
Base Current（pulse）
I_BP
2
A
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (TO-D4123DT) P_C
1
W
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (TO-D4123DM) P_C
20
W
最高结温
Junction Temperature
T_j
150
℃
贮存温度
Storage Temperature
T_stg
-55~+150 ℃
注：pulse电流宽度为小于5ms的非重复单脉冲。 Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle < 10%.
电特性 ElECTRICAL CHARACTERISTIC
项目
测试条件
最小值 典型值 最大值
Parameter
Tests conditions
Value(min) Value(typ) Value(max)
V(BR)_CEO
V(BR)_CBO
V(BR)_EBO
I_CBO
I_CEO
I_EBO
Hfe(1)
Hfe(2)
V_CE(sat)(1)
V_CE(sat)(2)
V_BE(sat)
tf
ts
I_C=10mA,I_B=0
I_C=1mA,I_B=0
I_E=1mA,I_C=0
V_CB=350V, I_E=0
V_CE=200V,I_B=0
V_EB=7V, I_C=0
V_CE =5V, I_C=0.2A
V_CE =5V, I_C=1.5A
I_C=0.5A, I_B=0.1A
I_C=1.0A, I_B=0.2A
I_C=1A, I_B=0.25A
V_CC=24V I_C=0.5A,I_B1=-I_B2=0.1A
200
-
-
350
-
-
7
-
-
-
-
100
-
-
50
-
-
10
8
-
50
5
-
-
-
-
0.8
-
-
1.5
-
-
1.5
-
-
0.5
-
-
4
fT
V_CE=10V, I_C=0.5A
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项目
4
-
-
符 号 最小值 最大值
Parameter
结到环境的热阻 D4123DT
Thermal Resistance Junction Ambient D4123DT
结到管壳的热阻 D4123DM
Thermal Resistance Junction Case D4123DM
Symbol Value(min) Value(max)
Rth(j-c)
-
125
Rth(j-c)
-
6.25
单位
Unit
V
V
V
μA
μA
μA
V
V
V
μS
μS
MHz
单位
Unit
℃ /W
℃ /W
版本：200910C
2/6