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3DD13003A Datasheet, PDF (2/7 Pages) JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. – HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
R
3DD13003A
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
项目
符号 数值
Parameter
集电极—发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage(VBE=0)
集电极—发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage(IB=0)
发射极—基极直流电压 Emitter-Base Voltage
最大集电极直流电流
Collector Current(DC)
最大集电极脉冲电流
Collector Current(pulse)
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (TO-92)
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (TO-126/TO-126F)
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (TO-220)
最高结温
Junction Temperature
贮存温度
Storage Temperature
电特性 ElECTRICAL CHARACTERISTIC
Symbol
VCES
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
PC
PC
Tj
Tstg
Value
700
450
9
1.5
3.0
1
20
40
150
-55~+150
项目
测试条件
最小值 典型值 最大值
Parameter
Tests conditions
Value(min) Value(typ) Value(max)
V(BR)CEO
V(BR)CBO
V(BR)EBO
ICBO
ICEO
IC=10mA,IB=0
IC=1mA,IB=0
IE=1mA,IC=0
VCB=700V, IE=0
VCE=450V,IB=0
450
500
-
700
830
-
9
13
-
-
-
100
-
-
50
IEBO
hFE
VCE(sat)
VEB=7V, IC=0
VCE=5V, IC=5mA
VCE=10V, IC=200mA
VCE=5V, IC=1.5A
IC=0.5A, IB=0.1A
IC=1.5A, IB=0.5A
-
-
10
6
20
40
8
25
40
4
11
-
-
0.15
0.8
-
0.5
2.0
VBE(sat)
tf
ts
IC=1.0A, IB=0.25A
VCC=24V IC=0.5A,IB1=-IB2=0.1A
VCC=24V IC=0.5A,IB1=-IB2=0.1A
-
0.6
1.8
-
-
0.7
-
-
4
fT
VCE=10V, Ic=0.2A
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项目
4
-
-
符 号 最小值 最大值
Parameter
Symbol min
max
结到环境的热阻 Thermal Resistance Junction Ambient TO-92
Rth(j-a)
-
125
结到管壳的热阻 Thermal Resistance Junction Case TO-92
Rth(j-c)
-
49
结到管壳的热阻 Thermal Resistance Junction Case
TO-126
Rth(j-c)
-
6.25
结到管壳的热阻 Thermal Resistance Junction Case
TO-126F Rth(j-c)
-
6.25
结到管壳的热阻 Thermal Resistance Junction Case
TO-220
Rth(j-c)
-
3.125
单位
Unit
V
V
V
A
A
W
W
W
℃
℃
单位
Unit
V
V
V
μA
μA
μA
-
-
-
V
-
V
μS
μS
MHz
单位
Unit
℃ /W
℃ /W
℃ /W
℃ /W
℃ /W
版本:201102H
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