3DD13002S Datasheet, PDF (2/6 Pages) JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. – HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

R
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
3DD13002S
项目
符号 数值 单位
Parameter
Symbol Value
Unit
集电极—发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage（V_BE=0） V_CES
600
V
集电极—发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage（I_B=0） V_CEO
400
V
发射极—基极直流电压 Emitter-Base Voltage
V_EBO
9
V
最大集电极直流电流
Collector Current（DC）
I_C
1.2
A
最大集电极脉冲电流
Collector Current（pulse）
I_CP
2.4
A
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (TO-92)
P_C
1
W
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (TO-126(S))
P_C
20
W
最高结温
Junction Temperature
T_j
150
℃
贮存温度
Storage Temperature
电特性 ElECTRICAL CHARACTERISTIC
T_stg
-55~+150 ℃
项目
测试条件
最小值 典型值 最大值
单位
Parameter
Tests conditions
Value(min) Value(typ) Value(max) Unit
V(BR)_CEO
V(BR)_CBO
V(BR)_EBO
I_CBO
I_C=10mA,I_B=0
I_C=1mA,I_B=0
I_E=1mA,I_C=0
V_CB=600V, I_E=0
400
460
-
V
600
800
-
V
9
15
-
V
-
-
5
μA
I_CEO
V_CE=400V,I_B=0
I_EBO
V_EB=9V, I_C=0
-
-
10
μA
-
-
5
μA
hFE
V_CE(sat)
V_CE=10V, I_C=100mA
I_C=0.5A, I_B=0.1A
8
20
40
-
-
0.25
0.8
V
V_BE(sat)
I_C=0.5A, I_B=0.1A
-
0.9
1.2
V
tf
V_CC=24V I_C=0.25A,I_B1=-I_B2=0.05A
-
-
0.7
μS
ts
V_CC=24V I_C=0.25A,I_B1=-I_B2=0.05A
-
-
4
μS
fT
V_CE=10V, Ic=0.1A
4
-
-
MHz
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项目
符 号 最小值 最大值 单 位
Parameter
Symbol Value(min) Value(max) Unit
结到环境的热阻 TO-92
Thermal Resistance Junction Case TO-92
Rth(j-a)
-
125
℃ /W
结到管壳的热阻 TO-126(S)
Thermal Resistance Junction Case TO-126(S)
Rth(j-c)
-
6.25
℃ /W
版本：200910F
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