3DD13001H Datasheet, PDF (2/5 Pages) JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. – HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

R
3DD13001H
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
项目
符号
集电极—发射极直流电压
集电极—发射极直流电压
发射极—基极直流电压
最大集电极直流电流
最大集电极脉冲电流
最大集电极耗散功率
最高结温
贮存温度
Parameter
Symbol
Collector- Emitter Voltage（V_BE=0） V_CES
Collector- Emitter Voltage（I_B=0） V_CEO
Emitter-Base Voltage
Collector Current（DC）
Collector Current（pulse）
V_EBO
I_C
I_CP
Total Dissipation (TO-92)
P_C
Junction Temperature
T_j
Storage Temperature
T_stg
数值
Value
600
400
9
0.75
1.5
1
150
-55~+150
单位
Unit
V
V
V
A
A
W
℃
℃
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC
项目
测试条件
最小值 典型值 最大值
Parameter
Tests conditions
Value(min) Value(typ) Value(max)
V(BR)_CEO
V(BR)_CBO
V(BR)_EBO
Ic=10mA,I_B=0
Ic=1mA,I_B=0
I_E=1mA,Ic=0
400
470
-
600
800
-
9
14
-
I_CBO
V_CB=580V, I_E=0
I_CEO
V_CE=390V,I_B=0
I_EBO
V_EB=9V, I_C=0
-
-
5
-
-
10
-
-
5
hFE
V_CE(sat)
V_BE(sat)
V_CE=5V,
I_C=0.1A,
I_C=0.1A,
I_C=50mA
I_B=10mA
I_B=10mA
10
20
40
-
0.4
1.0
-
0.8
1.4
tf
-
-
0.7
V_CC=24V I_C=0.1A,I_B1=-I_B2=0.02A
ts
-
-
4
fT
V_CE=10V, Ic=0.05A
4
-
-
单位
Unit
V
V
V
μA
μA
μA
-
V
V
μS
μS
MHz
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项目
Parameter
结到环境的热阻 TO-92
Thermal Resistance Junction Case TO-92
符 号 最小值 最大值
Symbol Value(min) Value(max)
Rth(j-a)
-
125
单位
Unit
℃ /W
版本：200910D
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