3CT08B Datasheet, PDF (2/5 Pages) JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. – Half AC switching

R
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
3CT08B
项目
符号 数值 单位
Parameter
Symbol Value Unit
断态重复峰值电压 Repetitive peak off-state voltage
V_DRM
800
V
反向重复峰值电压 Repetitive peak reverse voltage
V_RRM
800
V
通态平均电流 Average on-state current
I_T（_AV）
0.8
A
通态方均根电流 On-state RMS current ( half sine wave)
I_T(RMS)
1.2
A
非重复浪涌峰值通态电流 Non- repetitive surge peak on-state current
( half sine wave ,t=10ms)
I_TSM
12
A
I²t for fusing ( t=10ms)
I²t
0.72
A²s
门极峰值电流 Peak gate current
I_GM
1
A
门极峰值电压 Peak gate voltage
V_GM
5
V
反向门极峰值电压 Peak reverses gate voltage
V_RGM
5
V
门极峰值功率 Peak gate power
P_GM
2
W
平均门极功率 Average gate power( over any 20ms period)
P_G(AV)
0.1
W
存储温度 Storage temperature
T_stg
-40~150 ℃
操作结温 Operation junction temperature
T_J
125
℃
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC (T_C=25℃ unless otherwise stated)
项目
符号
测试条件
最小 典型 最大 单位
Parameter
Symbol
Tests conditions
min typ max Unit
断 态 峰 值 重 复 电 流 Peak Repetitive
V_DM=V_DRM, Tj=125℃,
Blocking Current
I_DRM
R_GK=1KΩ
-
- ^0.1 mA
反 向 峰 值 重 复 电 流 Peak Repetitive
V_RM=V_RRM, Tj=125℃,
Reverse Current
I_RRM
R_GK=1KΩ
-
- ^0.1 mA
峰值通态电压 Peak on-state voltage _{VTM ITM=1A}
- － 1.7 V
门极触发电流 Gate trigger current
I_GT V_DM=12V,I_T=0.1A
10 - 100 μA
门极触发电压 Gate trigger voltage
V_GT V_DM=12V,I_T=0.1A
- 0.65 0.8 V
维持电流 Holding current
I_H V_DM=12V, I_GT=1mA
-
-
1 mA
动态特性 DYNAMIC CHARACTERISTICS (T_C=25℃ unless otherwise stated)
项目
符号
测试条件
最小 典型 最大 单位
Parameter
Symbol
Tests conditions
min typ max Unit
断态临界电压上升率 Critical
V_DM=67% V_DRM(MAX),
dV/dt
rate of rise of off- state voltage
Tj=125℃,RGK=1KΩ
10 -
- V/μs
换 向 关 断 时 间 Circuit
V_DM=67V_DRM，Tj=125℃，V_R=35V，
commutaded turn-off time
tq I_TM=1.6A， dI_TM/dt=30A/μs，
- 100 - μs
dV/dt=2V/μs，R_GK=1KΩ
版本：201510C
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