TTC5200 Datasheet, PDF (1/6 Pages) Toshiba Semiconductor – Power Amplifier Applications

NPN 三重扩散晶体管
Silicon NPN Triple Diffused Transistor
R
TTC5200
用途
z 应用于功率放大器
产品特性
z高集电极电压：V_CEO=230V (min)
z与 TTA1943 互补
z推荐用于 100W 高保真音响频率放大器输出电路
z 环保（RoHS）产品
封装 Package
TO-3PL
APPLICATIONS
z Power Amplifier Applications
FEATURES
zHigh collector voltage：V_CEO=230V (min)
zComplementary to TTA1943
zRecommended for 100-W high-fidelity audio
frequency amplifier output
zRoHS product
TO-247
1 基极 BASE 2 集电极（热沉）COLLECTOR (HEAT SINK)
3 发射极 EMITTER
订货信息 ORDER MESSAGE
订货型号
印记
无卤素
Order codes
TTC5200-O-AL-N-D
TTC5200-O-W -N-B
Marking
TTC5200
TTC5200
Halogen Free
否 NO
否 NO
封装
Package
TO-3PL
TO-247
包
装
Packaging
泡沫盒 Foam Box
条管 Tube
器件重量
Weight
9.53g(typ)
6.03g(typ)
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃ unless otherwise noted)
项目
Parameter
集电极—基极直流电压 Collector- Base Voltage
集电极—发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage
发射极—基极直流电压 Emitter-Base Voltage
最大集电极电流
Collector Current
最大基极电流
Base Current
最大集电极耗散功率 TO-247 Collector Dissipation(Tc=25℃)
最大集电极耗散功率 TO-3PL Collector Dissipation(Tc=25℃)
最高结温
Junction Temperature
贮存温度
Storage Temperature
符号
Symbol
V_CBO
V_CEO
V_EBO
I_C
I_B
P_C
P_C
T_j
T_stg
数值
Value
230
230
5
15
1.5
120
160
150
-55~150
单位
Unit
V
V
V
A
A
W
W
℃
℃
版本：201508E
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