3DD4163D Datasheet, PDF (1/5 Pages) JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. – Energy-saving light

NPN 型功率开关晶体管
FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
R
3DD4163D
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
I_C
3A
V_CEO
200V
P_C(TO-92-FJ)
1W
P_C(TO-126)
40W
封装 Package
用途
z 节能灯
z 电子镇流器
z 电子变压器
z 一般功率放大电路
产品特性
z 中耐压
z 高电流容量
z 高开关速度
z 高可靠性
z 环保（RoHS）产品
APPLICATIONS
z Energy-saving light
z Electronic ballasts
z Electronic transformer
z Commonly power amplifier circuit
FEATURES
z Middling breakdown voltage
z High current capability
z High switching speed
z High reliability
z RoHS product
TO-92-FJ
TO-126
订货信息 ORDER MESSAGE
订货型号
印记
无卤素
封装
包
装
Order codes
Marking
Halogen Free
Package
Packaging
3DD4163DT-O-T-N-C
4163DT
否 NO
3DD4163DM-O-M-N-C
4163DM
否 NO
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
TO-92-FJ
TO-126
袋装 Bag
袋装 Bag
项目
符号 数值 单位
Parameter
Symbol Value
Unit
集电极—发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage（V_BE=0） V_CES
400
V
集电极—发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage（I_B=0）
V_CEO
发射极—基极直流电压
Emitter-Base Voltage
V_EBO
200
V
8
V
最大集电极直流电流
Collector Current（DC）
I_C
3
A
最大集电极脉冲电流
Collector Current（pulse）
I_CP
6
A
最大基极直流电流
Base Current（DC）
I_B
1
A
最大基极脉冲电流
Base Current（pulse）
I_BP
2
A
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (TO-92)
P_C
1
W
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (TO-126)
P_C
40
W
最高结温
Junction Temperature
T_j
150
℃
贮存温度
Storage Temperature
T_stg
-55~+150 ℃
注：pulse电流宽度为小于5ms的非重复单脉冲。 Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle < 10%.
版本：201504A
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