JST80 Datasheet, PDF (1/1 Pages) JIEJIE MICROELECTRONICS CO.,Ltd – Triac Chips

JST80 型三象限双向晶闸管芯片
（芯片代码：CP413）
○ 芯片特征：
双面台面结构（Double Mesa）
台面玻璃钝化工艺
正面电极金属：Ti-Ni-Ag
背面电极金属：Ti-Ni-Ag
○ 主要用途：交流无触点开关、
固态继电器、热水器控温、
交流马达驱动、焊接设备等等。
○ 可替换型号：
○ 芯片尺寸：9.8mm×9.8mm
○ 器件线路符号：
T2
T1
○产品极限参数（封装成模块后，除非另有规定，T_CASE =25℃）
参数名称
符号
数 值 单位
结温范围
Tj
-40～125 ℃
正向断态重复峰值电压
V_DRM
1200/1600 V
反向断态重复峰值电压
通态均方根电流 T_C=110℃
通态浪涌电流 tp=20mS
I²t 值
tp=16.7mS
tp=10mS
V_RRM
I_T（_RMS）
I_TSM
I²t
1200/1600 V
80
A
800
A
880
3200
A²S
通态电流临界上升率 Tj=125℃ dI/dt
50
A/uS
I_G=2×I_GT,tr≤100ns,F=120Hz
门极峰值电流
Tj=125℃ I_GM
8
A
门极平均功率
Tj=125℃ P_G（_AV）
1
W
○ 产品电性能（封装成模块后，除非另有规定，T_CASE =25℃）
特性和测试条件
符号 数值 单位
G
○ 芯片结构图：
JST80芯片结构图 （单位：um)
T1
G
T1
G
T1
T2(Ti-Ni-Ag)
通态峰值电流
I_TM=110A,tp=380uS
正向断态峰值电流 T_C=25℃
V_D=V_DRM
T_C=125℃
反向断态峰值电流 T_C=25℃
V_R=V_RRM
T_C=125℃
门极触发电压
V_D=12V, R_L=33Ω
门极不触发电压 Tj=125℃
V_D=V_DRM, R_L=3.3KΩ
门极触发电流
V_D=12V, R_L=33Ω
擎住电流
I_G= 1.2I_GT
维持电流
I_T=0.5A
断态电压临界上升率
Tj=125℃,V_D=2/3V_DRM,
门极开路
V_TM
I_DRM1
I_DRM2
I_RRM1
I_RRM2
V_GT
V_GD
I_GT(Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ)
I_GT (Ⅳ)
I_L（Ⅰ-Ⅲ）
I_L（Ⅱ）
I_L (Ⅳ)
I_H
dV/dt
≤1.55
≤50
≤10
≤50
≤10
≤1.3
≥0.2
≤60
/
≤80
≤160
/
≤100
≥500
V
uA
mA
uA
mA
V
V
mA
mA
mA
V/uS