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JST505 Datasheet, PDF (1/1 Pages) JIEJIE MICROELECTRONICS CO.,Ltd – Triac Chips
JST505/510/535 型三象限双向晶闸管芯片
(芯片代码:CP402)
○ 芯片特征:双面台面结构(Double Mesa),台面玻璃钝化工艺,背面三层金属电极。
○ 芯片尺寸:2.52mm×2.52mm
○ 主要用途:交流无触点开关、交流马达调速、其它相控电路 … T 2
T1
JST505芯片结构图(单位:um)
T1
G
G(AL)
T1(AL)
T2(Ti-Ni-Ag)
G
○产品极限参数(封装成 TO-220 后,除非另有规定,TCASE =25℃)
参数名称
符号 数 值 单位
结温范围
Tj
-40~125
正向断态重复峰值电压
VDRM 600/800
反向断态重复峰值电压
通态均方根电流 TC=110℃
通态浪涌电流 tp=20mS
I2t 值
tp=16.7mS
tp=10mS
VRRM
IT(RMS)
ITSM
I2t
600/800
5
50
55
12.5
通态电流临界上升率
dI/dt
50
IG=2×IGT,tr≤100ns, F=100Hz
门极峰值电流
Tj=125℃ IGM
4
门极平均功率
Tj=125℃ PG(AV)
1
℃
V
V
A
A
A2S
A/uS
A
W
○ 产品电性能(封装成 TO-220 后,除非另有规定,TCASE =25℃)
特性和测试条件
符号
数
505
通态峰值电压 ITM=7A,tp=380uS
正向断态峰值电流
VD=VDRM
TC=25℃
TC=125℃
反向断态峰值电流
VR=VRRM
TC=25℃
TC=125℃
门极触发电压 VD=12V, RL=30Ω
门极不触发电压
VD=VDRM, RL=3.3KΩ,Tj=125℃
门极触发电流 VD=12V, RL=30Ω
擎住电流
IG= 1.2IGT
VTM
IDRM1
IDRM2
IRRM1
IRRM2
VGT
VGD
IGT(Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ)
≤5
IGT (Ⅳ)
/
IL(Ⅰ-Ⅲ)
≤10
IL(Ⅱ)
≤15
维持电流
IT=0.2A
断态电压临界上升率 Tj=125℃
IH
≤10
dV/dt
≥20
VD=2/3VDRM, 门极开路
510
≤1.55
≤5
≤1
≤5
≤1
≤1.3
≥0.2
≤10
/
≤25
≤30
≤15
≥40
值
单位
535
V
uA
mA
uA
mA
V
V
≤35
/
≤50
≤60
≤40
≥400
mA
mA
mA
V/uS