JST260D Datasheet, PDF (1/1 Pages) JIEJIE MICROELECTRONICS CO.,Ltd – Triac Chip

JST260D/E/F 型四象限双向晶闸管芯片
（芯片代码：CP309）
○ 芯片特征：单面台面结构，台面玻璃钝化工艺，背面三层金属电极。
○ 芯片尺寸：2.6mm×2.6mm
T2
T1
○ 可替换型号：BT137
JST260D/E 芯片结构图 单位(um)
○产品极限参数（封装成
TO-220
G
后，除非另有规定，T_CASE
=25℃）
参数名称
符号 数 值 单位
结温范围
Tj
-40～125 ℃
正向断态重复峰值电压
V_DRM 600/800
V
反向断态重复峰值电压
V_RRM 600/800
V
通态均方根电流 T_C=100℃
I_T（_RMS）
8
A
通态浪涌电流 tp=20mS
I_TSM
65
A
tp=16.7mS
71
I²t 值
tp=10mS
I²t
21
A²S
通态电流临界上升率
di/dt
I_G=2×I_GT,tr≤100ns, F=50Hz
50
A/uS
门极峰值电流
Tj=125℃
I_GM
2
A
门极平均功率
Tj=125℃
P_G（_AV）
0.5
W
○ 产品电性能（封装成 TO-220 后，除非另有规定，T_CASE =25℃）
特性和测试条件
符号
数
值
D
E
F
通态峰值电压 I_TM=10A,tp=380uS
正向断态峰值电流
V_D=V_DRM
T_C=25℃
T_C=125℃
反向断态峰值电流
V_R=V_RRM
T_C=25℃
T_C=125℃
门极触发电压 V_D=12V, R_L=30Ω
门极不触发电压
V_D=V_DRM, R_L=3.3KΩ, Tj=125℃
门极触发电流 V_D=12V, R_L=30Ω
V_TM
I_DRM1
I_DRM2
I_RRM1
I_RRM2
V_GT
V_GD
≤1.65
≤5
≤1
≤5
≤1
≤1.3
≥0.2
I_GT(Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ)
≤5
≤10
≤35
Ⅳ
≤10
≤25
≤70
擎住电流
I_G= 1.2I_GT
维持电流
I_T=0.2A
断态电压临界上升率
VD=2/3VDRM, Tj=125℃，RGK=1KΩ
I_L（Ⅰ-Ⅲ-Ⅳ）
≤15
≤30
≤40
I_L（Ⅱ）
≤20
≤40
≤60
I_H
≤10
≤25
≤30
dV/dt
≥5
≥10
≥50
单位
V
uA
mA
uA
mA
V
V
mA
mA
mA
V/uS