JST220 Datasheet, PDF (1/1 Pages) JIEJIE MICROELECTRONICS CO.,Ltd – Triac Chips

JST220 型三、四象限双向晶闸管芯片
（芯片代码：CP308）
○ 芯片特征：单面台面结构，台面玻璃钝化工艺，背面三层金属电极。
○ 芯片尺寸：2.2mm×2.2mm
T2
T1
○ 可替换型号：BTA04/BTB04/BT136
○产品极限参数（封装成
TO-220
G
后，除非另有规定，T_CASE
=25℃）
参数名称
符号 数 值 单位
结温范围
Tj
-40～125 ℃
正向断态重复峰值电压
V_DRM 600/800
V
反向断态重复峰值电压
V_RRM 600/800
V
通态均方根电流 T_C=110℃
I_T（_RMS）
4
A
通态浪涌电流 tp=20mS
I_TSM
40
A
tp=16.7mS
41
I²t 值
tp=10mS
I²t
8
A²S
通态电流临界上升率
I_G=2×I_GT,tr≤100ns, F=100Hz
dI/dt
50
A/uS
门极峰值电流
Tj=125℃
I_GM
4
A
门极平均功率
Tj=125℃
P_G（_AV）
1
W
○ 产品电性能（封装成 TO-220 后，除非另有规定，T_CASE =25℃）
特性和测试条件
符号
数
通态峰值电压 I_TM=8.5A,tp=380uS
正向断态峰值电流
V_D=V_DRM
T_C=25℃
T_C=125℃
反向断态峰值电流
V_R=V_RRM
T_C=25℃
T_C=125℃
门极触发电压 V_D=12V, R_L=30Ω
门极不触发电压
V_D=V_DRM, R_L=3.3KΩ, Tj=125℃
门极触发电流 V_D=12V, R_L=30Ω
擎住电流
I_G= 1.2I_GT
维持电流
断态电压临界上升率
V_D=2/3V_DRM, 门极开路
I_T=0.2A
Tj=125℃
V_TM
I_DRM1
I_DRM2
I_RRM1
I_RRM2
V_GT
V_GD
I_GT(Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ)
I_GT (Ⅳ)
I_L（Ⅰ-Ⅲ）
I_L（Ⅳ）
I_L（Ⅱ）
I_H
dV/dt
值
T
≤1.55
≤5
≤1
≤5
≤1
≤1.3
≥0.2
≤5
≤10
≤10
≤20
≤15
≤10
≥20
单位
V
uA
mA
uA
mA
V
V
mA
mA
mA
V/uS