JST20 Datasheet, PDF (1/1 Pages) JIEJIE MICROELECTRONICS CO.,Ltd – Triac Chips

JST20 型三象限双向晶闸管芯片
（芯片代码：CP409）
○ 芯片特征：
双面台面结构（Double Mesa）
台面玻璃钝化工艺
正面电极金属：可选 Ti-Ni-Ag
或可选 AL
背面电极金属：Ti-Ni-Ag
○ 主要用途：
○ 可替换型号：BTA/BTB20
○ 芯片尺寸：4.3mm×4.3mm
○ 器件线路符号：
T2
T1
G
○ 芯片结构图：
○产品极限参数（封装成 TO-220 后，除非另有规定，T_CASE =25℃）
参数名称
符 号 数 值 单位
结温范围
Tj
-40～125 ℃
正向断态重复峰值电压
V_DRM
600/800
V
反向断态重复峰值电压
V_RRM
600/800
V
通态均方根电流 T_C=110℃ I_T（_RMS）
20
A
通态浪涌电流
tp=20mS I_TSM
200
A
tp=16.7mS
210
I²t 值
tp=10mS I²t
200
A²S
通态电流临界上升率 Tj=125℃ dI/dt
50
A/uS
I_G=2×I_GT,tr≤100ns,F=120Hz
门极峰值电流
Tj=125℃ I_GM
4
A
门极平均功率
Tj=125℃ P_G（_AV）
1
W
○ 产品电性能（封装成 TO-220 后，除非另有规定，T_CASE =25℃）
特性和测试条件
符号
数值
单位
BW CW
通态峰值电流 I_TM=28A,
V_TM
tp=380uS
≤1.55
V
正向断态峰值电流 T_C=25℃
V_D=V_DRM
T_C=125℃
反向断态峰值电流 T_C=25℃
V_R=V_RRM
T_C=125℃
I_DRM1
I_DRM2
I_RRM1
I_RRM2
≤5
uA
≤2
mA
≤5
uA
≤2
mA
门极触发电压
V_D=12V, R_L=33Ω
门极不触发电压 Tj=125℃
V_D=V_DRM, R_L=3.3KΩ,
门极触发电流
V_D=12V, R_L=33Ω
擎住电流
I_G= 1.2I_GT
维持电流 I_T=0.5A
断态电压临界上升率
Tj=125℃,V_D=2/3V_DRM,
门极开路,
V_GT
≤1.3
V
V_GD
≥0.2
V
I_GT (Ⅰ)
I_GT (Ⅱ)
I_GT (Ⅲ)
I_L（Ⅰ-Ⅲ）
I_L（Ⅱ）
I_H
dV/dt
≤50
50
90
≤75
≥500
≤35
--
≤80
≤50
≥250
mA
mA
mA
V/uS