JST180D Datasheet, PDF (1/1 Pages) JIEJIE MICROELECTRONICS CO.,Ltd – Triac Chips

JST180D/E 型四象限双向晶闸管芯片
（芯片代码：CP311）
○ 芯片特征：
门极逻辑电平触发
P^＋ 对通扩散隔离
单面台面结构
台面玻璃钝化工艺
正面电极金属：AL
背面电极金属：Ti-Ni-Ag
○ 芯片尺寸：1.80mm×1.80mm
○ 主要用途：灯光亮度控制、风扇调速
等交流相控电路。
○ 可替换型号：BT136/600D,
BT136/600DE，Z0405, Z0409.
○ 器件线路符号：
T2
T1
G
○ 芯片结构图：
JST180芯片结构图（单位：um)
T1(AL)
G(AL)
G(AL：5.0um) T1(AL:5.0um)
T2(Ti1400A-Ni4500A-Ag1.6um)
○产品极限参数（封装成 TO-126 后，除非另有规定，T_CASE =25℃）
参数名称
符号
数值
单位
结温范围
Tj
-40～125 ℃
正向断态重复峰值电压
V_DRM
600
V
反向断态重复峰值电压
通态均方根电流 T_C=110℃
通态浪涌电流 tp=20mS
I²t 值
tp=16.7mS
tp=10mS
V_RRM
I_T（_RMS）
I_TSM
I²t
600
V
4
A
25
A
27
3.1
A²S
通态电流临界上升率
Ⅰ
50
I_T=6A,I_G=0.2A,
dI_G/dt=0.2A/uS
dI/dt Ⅱ
50
A/uS
Ⅲ
50
Ⅳ
10
门极峰值电流 Tj=125℃ I_GM
2
A
门极峰值功率 Tj=125℃ P_GM
5
W
门极平均功率 Tj=125℃ P_G（_AV）
0.5
W
○ 产品电性能（封装成 TO-126 后，除非另有规定，T_CASE =25℃）
特性和测试条件
符号 数值
单位
DE
通态峰值电压
I_T=5A
正向断态峰值电流 T_C=25℃
V_D=V_DRM
T_C=125℃
反向断态峰值电流 T_C=25℃
V_R=V_RRM
T_C=125℃
维持电流 V_D=12V I_GT=0.1A
V_TM
I_DRM1
I_DRM2
I_RRM1
I_RRM2
I_H
≤1.7
V
≤10
uA
≤0.5
mA
≤10
uA
≤0.5
mA
≤10 ≤15 mA
擎住电流
I_L（Ⅰ-Ⅲ-Ⅳ） ≤10 ≤15 mA
V_D=12V
I_GT=0.1A _{IL（Ⅱ）}
≤15 ≤20
门极触发电流
I_GT（Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ） ≤5 ≤10 mA
V_D=12V
I_T=0.1A _{IGT（Ⅳ）}
≤10 ≤25
门极触发电压
V_D=12V
V_GT
≤1.5
V
门极不触发电压
V_GD
≥0.2
V
V_D=2/3V_DRM， Tj=125℃
断态电压临界上升率
V_D=2/3V_DRM,
R_GK=1KΩ
Tj=125℃
dV/dt
≥5 ≥50 V/uS