JST120 Datasheet, PDF (1/1 Pages) JIEJIE MICROELECTRONICS CO.,Ltd – Triac Chip

JST120 型四象限双向晶闸管芯片
（芯片代码：CP301）
○ 芯片特征：
门极逻辑电平触发
P^＋ 对通扩散隔离
单面台面结构
台面玻璃钝化工艺
正面电极金属：AL
背面电极金属：Ti-Ni-Ag
○ 芯片尺寸：1.2mm×1.2mm
○ 主要用途：风扇调速、灯光亮度调整
等小功率交流相控电路。
○产品极限参数（封装成 TO-92 后，除非另有规定，T_CASE =25℃）
参数名称
符号
数 值 单位
结温范围
Tj
-40～110 ℃
正向断态重复峰值电压
V_DRM
400/600 V
反向断态重复峰值电压
V_RRM
400/600 V
通态均方根电流 T_C=50℃
I_T（_RMS）
0.8
A
通态浪涌电流
I_TSM
9
A
F=50Hz,tp=10mS
I²t 值
tp=10mS I²t
0.40
A²S
○ 可替换型号：MAC97A6，MAC97A8， _{通态电流临界上升率}
Z00607。
I_T=1A,I_G=0.2A,
Ⅰ
50
dI/dt Ⅱ
50
A/uS
○ 器件线路符号：
dI_G/dt=0.2A/uS
Ⅲ
50
Ⅳ
10
T2
T1
G
○ 芯片结构图：
JST120芯片结构图 (单位：um)
T1
G
G(AL) T1(AL)
门极峰值电流 Tj=110℃ I_GM
1
A
门极峰值功率 Tj=110℃ P_GM
1
W
门极平均功率 Tj=110℃ P_G（_AV）
0.1
W
○ 产品电性能（封装成 TO-92 后，除非另有规定，T_CASE =25℃）
特性和测试条件
符号
数值 单位
通态峰值电压
I_T=1.1A V_TM
≤1.5
V
正向断态峰值电流 T_C=25℃ I_DRM1
≤5
uA
V_D=V_DRM
T_C=110℃ I_DRM2
≤100 uA
反向断态峰值电流 T_C=25℃ I_RRM1
≤5
uA
V_R=V_RRM
T_C=110℃
I_RRM2
≤100 uA
维持电流
I_T=0.2A I_H
≤7
mA
擎住电流
I_L (Ⅰ-Ⅲ-Ⅳ)
≤10 mA
I_G=1.2 I_GT
I_L（Ⅱ）
≤20
门极触发电流
I_GT (Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ)
≤5
mA
V_D=12V
I_GT（Ⅳ）
≤12
门极触发电压 V_D=12V V_GT
≤1.3
V
门极不触发电压 Tj=110℃ V_GD
≥0.2
V
V_D=V_DRM，
R_L=3.3KΩ
T2(Ti-Ni-Ag)
断态电压临界上升率
V_D=2/3V_DRM, Tj=110℃
门极开路
dV/dt
≥30 V/uS