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JCT840 Datasheet, PDF (1/1 Pages) JIEJIE MICROELECTRONICS CO.,Ltd – SCR Chip
JCT640/CT840 型标准单向晶闸管芯片
(芯片代码:CP056)
○ 芯片特征:
双面台面结构(Double Mesa),
台面玻璃钝化工艺,
背面(阳极)电极金属:Ti-Ni-Ag
正面(门极、阴极)电极金属:AL
○ 芯片尺寸:4.8mm×5.4mm
○ 主要用途:固态继电器、焊接设备、
○ 可替换型号:
TYN640、TYN840、
○ 器件线路符号:
A
K
G
○ 芯片结构图:
JST840 芯片结构图 (单位:um)
K
○产品极限参数(封装成 TO-220 后,除非另有规定,TCASE =25℃)
参数名称
符号 数 值 单位
结温范围
Tj
-40-125 ℃
断态重复峰值电压
VDRM 600/800
V
反向重复峰值电压
通态均方根电流
通平均电流
通态浪涌
tp=10mS
电流
I2t 值
tp=8.3mS
tp=10mS
VRRM 600/800
V
IT(RMS)
40
A
IT(AV)
25
A
ITSM
460
A
480
I2t
1060
A2S
通态电流临界上升率
IG=2×IGT,tr≤100nS,
Tj=125℃
dI/dt
50
A/uS
门极峰值电流 Tj=125℃
IGM
4
A
门极平均功率 Tj=125℃
PG(AV)
1
W
○ 产品电性能(封装成 TO-220 后,除非另有规定,TCASE =25℃)
特性和测试条件
符号 数值 单 位
通态峰值电压
IT=60A, tp=380uS
断态峰值电流 TC=25℃
VD=VDRM
TC=125℃
反向峰值电流 TC=25℃
VR=VRRM
TC=125℃
VTM
≤1.6
V
IDRM1
≤5
uA
IDRM2
≤4
mA
IRRM1
≤5
uA
IRRM2
≤4
mA
G
G
K
A(Ti-Ni-Ag)
门极触发电流
VD=12V, RL=30Ω
擎住电流 IG=1.2 IGT
维持电流 IT=500mA
门极触发电压
VD=12V, RL=30Ω
门极不触发电压
VD=VDRM,Tj=125℃,RL=3.3KΩ
断态电压临界上升率
VD=2/3VDRM, Tj=125℃,
门极开路
IGT
IL
IH
VGT
VGD
dV/dt
3-30
≤60
≤50
≤1.3
≥0.2
≥500
mA
mA
mA
V
V
V/uS