JCT612 Datasheet, PDF (1/1 Pages) JIEJIE MICROELECTRONICS CO.,Ltd – Double Mesa

JCT612/JCT812 型标准单向晶闸管芯片
（芯片代码：CP051）
○ 芯片特征：
双面台面结构（Double Mesa），
台面玻璃钝化工艺，
背面（阳极）电极金属：Ti-Ni-Ag
正面（门极、阴极）电极金属：AL
○ 芯片尺寸：2.66mm×2.66mm
○ 主要用途：
○ 可替换型号：TYN612
○ 器件线路符号：
A
K
G
○ 芯片结构图：
JCT612芯片结构图 （单位：um)
K(AL)
G(AL)
G(AL)
K(AL)
A(Ti-Ni-Ag)
○产品极限参数（封装成 TO-220 后，除非另有规定，T_CASE =25℃）
参数名称
符号
数 值 单位
结温范围
断态重复峰值电压
反向重复峰值电压
通态均方根电流 T_C=105℃
通态平均电流
T_C=105℃
通态浪涌
tp=10mS
电流
I²t 值
tp=8.3mS
tp=10mS
通态电流临界上升率
I_G=2×I_GT,tr≤100nS,Tj=125℃
Tj
V_DRM
V_RRM
I_T（_RMS）
I_T（_AV）
I_TSM
I²t
dI/dt
-40～125
600/800
600/800
12
8
140
146
98
50
℃
V
V
A
A
A
A²S
A/uS
门极峰值电流 tp=20uS
门极平均功率 Tj=125℃
I_GM
4
A
P_G（_AV）
1
W
○ 产品电性能（封装成 TO-220 后，除非另有规定，T_CASE =25℃）
特性和测试条件
符号
数 值 单位
-X12T -X12
通态峰值电压
V_TM ≤1.6
V
I_T=18A, tp=380uS
断态峰值电流 T_C=25℃
I_DRM1
≤5
uA
V_D=V_DRM
T_C=125℃
I_DRM2
≤2
mA
反向峰值电流 T_C=25℃
I_RRM1
≤5
uA
V_R=V_RRM
T_C=125℃
I_RRM2
≤2
mA
门极触发电流
V_D=12V, R_L=30Ω
擎住电流 I_G=1.2 I_GT
I_GT
≤5
≤15 mA
I_L
≤30 ≤50 mA
维持电流 I_T=500mA
门极触发电压
V_D=12V, R_L=30Ω
门极不触发电压
V_D=V_DRM,Tj=125℃,
R_L=3.3KΩ
断态电压临界上升率
V_D=2/3V_DRM, Tj=125℃,
门极开路
I_H
≤15 ≤30 mA
V_GT
≤0.8
V
V_GD
≥0.1
V
dV/dt ≥40 ≥200 V/uS