JCT450HV Datasheet, PDF (1/1 Pages) JIEJIE MICROELECTRONICS CO.,Ltd – Double Mesa

JCT450HV 型高压单向晶闸管芯片
（芯片代码：CP071）
○ 芯片特征：
双面台面结构（Double Mesa），
台面玻璃钝化工艺，
背面（阳极）电极金属：Ti-Ni-Ag
正面（门极、阴极）电极金属：Ti-Ni-Ag
○ 主要用途：
○ 可替换型号：16TTS16，25TTS16
○产品极限参数（封装成 TO-220 后，除非另有规定，T_CASE =25℃）
参数名称
符号
数 值 单位
结温范围
Tj
-40-125
℃
断态重复峰值电压
V_DRM
1600
V
反向重复峰值电压
V_RRM
1600
V
通态均方根电流 T_C=80℃
I_T（_RMS）
25
A
通态平均电流 T_C=80℃
I_T（_AV）
16
A
通态浪涌电流 tp=10mS
I_TSM
160
A
○ 芯片尺寸：4.5mm×4.5mm
I²t 值 tp=10mS
通态电流临界上升率
I²t
128
A²S
dI/dt
100
A/uS
○ 器件线路符号：
A
V_D=2/3V_DRM, tp=200uS
I_G=0.3A,dI_G/dt=0.3A/uS,
K
Tj=125℃
门极峰值电流 Tj=125℃
I_GM
1.5
A
门极平均功率 Tj=125℃
P_G（_AV）
2
W
G
○ 产品电性能（封装成 TO-220 后，除非另有规定，T_CASE =25℃）
特性和测试条件
符号
数 值 单位
○ 芯片结构图：
JCT450HV 芯片结构图（单位：um)
K
G
G
K
A(Ti-Ni-Ag)
通态峰值电压
I_T=32A, tp=380uS
断态峰值电流 T_C=25℃
V_D=V_DRM
T_C=125℃
反向峰值电流 T_C=25℃
V_R=V_RRM
T_C=125℃
门极触发电流
V_D=12V, R_L=30Ω
擎住电流 I_G=1.2 I_GT
维持电流 I_T=1A
门极触发电压
V_D=12V, R_L=30Ω
门极不触发电压
V_D=V_DRM,Tj=125℃,
断态电压临界上升率
V_D=2/3V_DRM, Tj=125℃,
门极开路
V_TM
I_DRM1
I_DRM2
I_RRM1
I_RRM2
I_GT
I_L
I_H
V_GT
V_GD
dV/dt
≤1.8
≤10
≤5
≤10
≤5
10-50
≤100
≤80
≤1.5
≥0.25
≥1000
V
uA
mA
uA
mA
mA
mA
mA
V
V
V/uS