JCT152 Datasheet, PDF (1/1 Pages) JIEJIE MICROELECTRONICS CO.,Ltd – Double Mesa

JCT152 型标准单向晶闸管芯片
（芯片代码：CP042）
○ 芯片特征：
双面台面结构（Double Mesa），
台面玻璃钝化工艺，
背面（阳极）电极金属：Ti-Ni-Ag
正面（门极、阴极）电极金属：AL
○ 芯片尺寸：3.5mm×3.5mm
○ 主要用途：摩托车电压调节器
○ 可替换型号：BT152
○ 器件线路符号：
A
K
G
○ 芯片结构图：
JCT152 芯片结构图 （单位：um)
K
G
G
K
A(Ti-Ni-Ag)
○产品极限参数（封装成 TO-220 后，除非另有规定，T_CASE =25℃）
参数名称
符号
数 值 单位
结温范围
Tj
-40～125 ℃
断态重复峰值电压
V_DRM
500/650
V
反向重复峰值电压
V_RRM
500/650
V
通态均方根电流 T_C=103℃ I_T（_RMS）
20
A
通态平均电流
T_C=103℃ I_T（_AV）
13
A
通态浪涌
tp=10mS
I_TSM
200
A
电流
tp=8.3mS
220
I²t 值 tp=10mS
I²t
200
A²S
通态电流临界上升率
I_G=2×I_GT,tr≤100nS,
Tj=125℃
dI/dt
100
A/uS
门极峰值电流 Tj=125℃
I_GM
5
A
门极平均功率 Tj=125℃
P_G（_AV）
0.5
W
○ 产品电性能（封装成 TO-220 后，除非另有规定，T_CASE =25℃）
特性和测试条件
符号
数 值 单位
通态峰值电压
I_T=40A, tp=380uS
断态峰值电流 T_C=25℃
V_D=V_DRM
T_C=125℃
反向峰值电流 T_C=25℃
V_R=V_RRM
T_C=125℃
V_TM
I_DRM1
I_DRM2
I_RRM1
I_RRM2
门极触发电流
V_D=12V, R_L=30Ω
擎住电流 I_G=1.2 I_GT
维持电流 I_T=100mA
门极触发电压
V_D=12V, R_L=30Ω
门极不触发电压
V_D=V_DRM,Tj=125℃, R_L=3.3KΩ
断态电压临界上升率
V_D=2/3V_DRM, Tj=125℃,
门极开路
I_GT
I_L
I_H
V_GT
V_GD
dV/dt
≤1.7
V
≤10
uA
≤1
mA
≤10
uA
≤1
mA
≤25
mA
≤50
mA
≤40
mA
≤1.3
V
≥0.25
V
≥200
V/uS