JCT1055 Datasheet, PDF (1/1 Pages) JIEJIE MICROELECTRONICS CO.,Ltd – SCR Chip

JCT1055/JCT1255 型标准单向晶闸管芯片
（芯片代码：CP058）
○ 芯片特征：
双面台面结构（Double Mesa），
台面玻璃钝化工艺，
背面三层金属电极。
○ 芯片尺寸：6.1mm×6.1mm
○ 主要用途：
○ 可替换型号：
○ 器件线路符号：
A
K
G
○ 芯片结构图：
JCT1055 芯片结构图 （单位：um)
K
G
G
K
A(Ti-Ni-Ag)
○产品极限参数（封装成 TO-3P 后，除非另有规定，T_CASE =25℃）
参数名称
符号
数 值 单位
结温范围
Tj
-40～125 ℃
断态重复峰值电压
V_DRM 1000/1200 V
反向重复峰值电压
V_RRM 1000/1200 V
通态均方根电流 T_C=80℃ I_T（_RMS）
55
A
通平均电流
T_C=80℃
I_T（_AV）
40
A
通态浪涌电流
tp=10mS
I_TSM
500
A
I²t 值
tp=10mS
I²t
1250
A²S
通态电流临界上升率
dI/dt
100
A/uS
I_G=2×I_GT,tr≤100nS,
Tj=125℃
门极峰值电流 tp=20uS
I_GM
4
A
门极平均功率 Tj=125℃
P_G（_AV）
2.5
W
○ 产品电性能（封装成 TO-3P 后，除非另有规定，T_CASE =25℃）
特性和测试条件
符号 数 值 单 位
通态峰值电压
I_T=85A, tp=380uS
断态峰值电流 T_C=25℃
V_D=V_DRM
T_C=125℃
反向峰值电流 T_C=25℃
V_R=V_RRM
T_C=125℃
V_TM
≤1.7
V
I_DRM1
≤100
uA
I_DRM2
≤10
mA
I_RRM1
≤100
uA
I_RRM2
≤10
mA
门极触发电流
V_D=12V, R_L=30Ω
擎住电流 I_G=1.2 I_GT
I_GT
15-60
mA
I_L
≤120
mA
维持电流 I_T=1A
门极触发电压
V_D=12V, R_L=30Ω
门极不触发电压
V_D=V_DRM,Tj=125℃,R_L=3.3KΩ
断态电压临界上升率
V_D=2/3V_DRM, Tj=125℃,
门极开路
I_H
V_GT
V_GD
dV/dt
≤100
mA
≤1.5
V
≥0.25
V
≥1000 V/uS