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JCT1031 Datasheet, PDF (1/1 Pages) JIEJIE MICROELECTRONICS CO.,Ltd – SCR Chip
JCT1031/JCT1231 型标准单向晶闸管芯片
(芯片代码:CP057)
○ 芯片特征:
双面台面结构(Double Mesa),
台面玻璃钝化工艺,
背面三层金属电极。
○ 芯片尺寸:4.5mm×4.5mm
○ 主要用途:
○ 可替换型号:
○ 器件线路符号:
A
K
G
○ 芯片结构图:
JCT1031 芯片结构图 (单位:um)
K
G
G
K
A(Ti-Ni-Ag)
○产品极限参数(封装成 TO-220 后,除非另有规定,TCASE =25℃)
参数名称
符号
数 值 单位
结温范围
Tj
-40~125 ℃
断态重复峰值电压
VDRM 1000/1200 V
反向重复峰值电压
VRRM 1000/1200 V
通态均方根电流 TC=80℃ IT(RMS)
31
A
通平均电流
TC=80℃
IT(AV)
20
A
通态浪涌电流
tp=10mS
ITSM
310
A
I2t 值
tp=10mS
I2t
480
A2S
通态电流临界上升率
dI/dt
100
A/uS
IG=2×IGT,tr≤100nS,
Tj=125℃
门极峰值电流 Tj=125℃
IGM
4
A
门极平均功率 Tj=125℃
PG(AV)
1
W
○ 产品电性能(封装成 TO-220 后,除非另有规定,TCASE =25℃)
特性和测试条件
符号
数 值 单位
通态峰值电压
IT=45A, tp=380uS
断态峰值电流 TC=25℃
VD=VDRM
TC=125℃
反向峰值电流 TC=25℃
VR=VRRM
TC=125℃
VTM
IDRM1
IDRM2
IRRM1
IRRM2
≤1.7
V
≤100
uA
≤10
mA
≤100
uA
≤10
mA
门极触发电流
VD=12V, RL=30Ω
擎住电流 IG=1.2 IGT
维持电流 IT=500mA
门极触发电压
VD=12V, RL=30Ω
门极不触发电压
VD=VDRM,Tj=125℃,
RL=3.3KΩ
断态电压临界上升率
VD=2/3VDRM, Tj=125℃,
门极开路
IGT
15-60
mA
IL
≤120
mA
IH
≤100
mA
VGT
≤1.5
V
VGD
≥0.25
V
dV/dt
≥1000 V/uS