FCS540 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Inchange Semiconductor Company Limited – NPN SILICON RF TRANSISTOR

FCS540
NPN SILICON RF TRANSISTOR
描述
FCS540 是上海镭芯微电子有限公司生产的超高频低噪声晶体管，采用平面 NPN 硅
外延双极型工艺。具有高功率增益、低噪声系数、大动态范围和理想的电流特性，采用
SOT-323 超小型贴片式封装，主要应用于 VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器。
主要特性
高增益:︱S21︱² 典型值为 13dB
低躁声: NF 典型值为 2.5dB
增益带宽乘积: fT 典型值为 9GHz
@ VCE=8V，IC=40mA，f=0.9GHz
@ VCE=8V，IC=40mA，f=1GHz
@ VCE=8V，IC=40mA，f=1GHz
订购信息
产品号
FCS540
标准包装
3K/盘
极限工作条件范围 (TA=25℃)
参数
集电极基极击穿电压
集电极发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极电流
功耗
结温度
存储温度
符号
VCBO
VCES
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
极值
20
15
2
120
100
150
-65 _~ +150
单位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
hFE 规格
等级
标号
hFE
Q
N4
50-250
LASERON MICRO ELECTRONIC CO., LTD
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