FS200R12PT4P Datasheet, PDF (7/9 Pages) Infineon Technologies AG – EconoPACK™4 Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und PressFIT / bereits aufgetragenem Thermal Interface Material

TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FS200R12PT4P
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=1.1Ω,VCE=600V
30
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
25
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=200A,VCE=600V
20
Erec, Tvj = 125°C
18
Erec, Tvj = 150°C
16
14
20
12
15
10
8
10
6
4
5
2
0
0 50 100 150 200 250 300 350 400
IF [A]
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
RG [Ω]
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJH=f(t)
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
1
ZthJH : Diode
100000
Rtyp
10000
0,1
1000
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,0249 0,0849 0,175 0,0452
τi[s]: 0,000401 0,0206 0,0927 0,708
0,01
0,001
0,01
0,1
1
t [s]
100
10
0
preparedby:ZV
approvedby:MK
dateofpublication:2016-04-18
revision:V2.0
7
20 40 60 80 100 120 140 160
TNTC [°C]