D2200N Datasheet, PDF (5/8 Pages) Infineon Technologies AG – Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode

N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D2200N
Erhöhung des Z_{th DC} bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ
Dia^Rgr^isam^e m^ofe ^{Zth DC for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ}
Diagramme
∆Z_{th Θ rec} / ∆Z_{th Θ sin}
Kühlung / Cooling
Θ = 180°
Θ = 120°
Θ = 90°
Θ = 60°
Θ = 30°
beidseitig
two-sided
∆Z_{th Θ rec}
[°C/W]
∆Z_{th Θ sin}
[°C/W]
0,00136
0,00088
0,00219
0,00123
0,00284
0,00172
0,00384
0,00257
0,00568
0,00441
anodenseitig
anode-sided
∆Z_{th Θ rec}
[°C/W]
∆Z_{th Θ sin}
[°C/W]
0,00448
0,00334
0,00759
0,00489
0,00985
0,00693
0,01292
0,01005
0,01725
0,01518
kathodenseitig
cathode-sided
∆Z_{th Θ rec}
[°C/W]
∆Z_{th Θ sin}
[°C/W]
0,00448
0,00334
0,00759
0,00489
0,00985
0,00693
0,01292
0,01005
0,01725
0,01518
12.000
10.000
8.000
Z_{th Θ rec} = Z_{th DC} + ∆Z_{th Θ rec}
Z_{th Θ sin} = Z_{th DC} + ∆Z_{th Θ sin}
Durchlasskennlinie
T_vj = T_{vj max}
6.000
4.000
2.000
0
0,8
1
1,2
1,4
1,6
1,8
2
2,2
2,4
2,6
V_F [V]
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic i_F = f(v_F)
IFBIP D AEC / 2009-05-11, H.Sandmann
A 18/09
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