D1230N Datasheet, PDF (5/8 Pages) Infineon Technologies AG – Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode

N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D1230N
Erhöhung des Z_{th DC} bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ
Dia^Rgr^isam^e m^ofe ^{Zth DC for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ}
Diagramme
∆Z_{th Θ rec} / ∆Z_{th Θ sin}
Kühlung / Cooling
Θ = 180°
Θ = 120°
Θ = 90°
Θ = 60°
Θ = 30°
beidseitig
two-sided
∆Z_{th Θ rec}
[°C/W]
∆Z_{th Θ sin}
[°C/W]
0,00706
0,00450
0,01217
0,00687
0,01612
0,01012
0,02182
0,01538
0,03109
0,02489
anodenseitig
anode-sided
∆Z_{th Θ rec}
[°C/W]
∆Z_{th Θ sin}
[°C/W]
0,00448
0,00334
0,00759
0,00489
0,00985
0,00693
0,01292
0,01005
0,01725
0,01518
kathodenseitig
cathode-sided
∆Z_{th Θ rec}
[°C/W]
∆Z_{th Θ sin}
[°C/W]
0,00448
0,00334
0,00759
0,00489
0,00985
0,00693
0,01292
0,01005
0,01725
0,01518
Z_{th Θ rec} = Z_{th DC} + ∆Z_{th Θ rec}
Z_{th Θ sin} = Z_{th DC} + ∆Z_{th Θ sin}
5.000
Durchlasskennlinie
4.500
4.000
3.500
3.000
2.500
2.000
1.500
T_vj= T_{vj max}
1.000
500
0
0,5
0,7
0,9
1,1
1,3
1,5
1,7
1,9
2,1
2,3
2,5
V_F [V]
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic i_F = f(v_F)
T_vj = T_{vj max}
IFBIP D AEC / 2010-01-20, H.Sandmann
A 13/10
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