T1052S Datasheet, PDF (1/6 Pages) Infineon Technologies AG – Schneller Thyristor Fast Thyristor

S
Schneller Thyristor
Fast Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T1052S
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
PerKiodeisncnhde aStpeitznensperrspannung
T_vj = -40°C... T_{vj max}
repe_Etitiv_le_ep_kea_tk_rre_iv_ser_cse_hvo_eltage_Es _igenschaften
Stoßspitzensperrspannung
T_vj = +25°C... T_{vj max}
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
T_C = 85°C
T_C = 55 °C, θ = 180°sin, t_P = 10 ms
T_vj = 45°C, t_P = 10 ms
T_vj = T_{vj max} , t_P = 10 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
T_vj = 45°C, t_P = 10 ms
T_vj = T_{vj max} , t_P = 10 ms
DIN IEC 60747-6
v_D ≤ 67%V_DRM, f = 50 Hz,
i_GM = 1,2 A, di_G/dt = 1,2 A/µs
T_vj = T_{vj max}, v_D = 0,67 V_DRM
5.Kennbuchstabe / 5^th letter
V_DRM, V_RRM
V_RSM
I_TRMSM
I_TAVM
I_TAVM
I_TRMS
I_TSM
I²t
(di_T/dt)_cr
(dv_D/dt)_cr 1)
C: 500
M: 1000
1200 V
1300 V
2200 A
1050 A
1510 A
2380 A
22,5 kA
20,0 kA
2,53 10⁶A²s
2,00 10⁶A²s
400 A/µs
2)
500 V/µs
500 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
T_vj = T_{vj max} , i_T = 4000A
v_T
max.
2,7 V
Schleusenspannung
threshold voltage
T_vj = T_{vj max}
V_(TO)
1,45 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
T_vj = T_{vj max}
r_T
0,3 mΩ
Durchlaßkennlinie 300 A ≤ i_T ≤ 5000 A
on-state characteristic
v _T = A + B ⋅ i _T + C ⋅ ln ( i _T + 1 ) + D ⋅ i_T
T_vj = T_{vj max}
A=
1,892E+00
B=
6,402E-05
C=
-1,162E-01
D=
2,382E-02
Zündstrom
gate trigger current
T_vj = 25 °C, v_D = 12V
I_GT
max.
300 mA
Zündspannung
gate trigger voltage
T_vj = 25 °C, v_D = 12V
V_GT
max.
2,2 V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
T_vj = T_{vj max} , v_D = 12V
I_GD
max.
20 mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
T_vj = T_{vj max} , v_D = 0,5 V_DRM
V_GD
max. 0,25 V
Haltestrom
holding current
T_vj = 25°C, v_D = 12V
I_H
max.
250 mA
Einraststrom
latching current
T_vj = 25°C, v_D = 12V, R_GK ≥ 10 Ω
I_L
i_GM = 1,2 A, di_G/dt = 1,2 A/µs,
t_g = 20 µs
max. 1000 mA
1) Werte nach DIN IED 747-6 (ohne vorausgehende Kommutierung) / values to DIN IEC 747-6 (without prior commutation)
2) Unmittelbar nach der Freiwerdezeit, vgl. Meßbedingungen für tq / immediatley after circuit commutated turn-off time, see Parameters tq
prepared by: H.Sandmann
approved by: J.Przybilla
date of publication:
revision:
2008-09-15
3.0
IFBIP _{SDeAiteEC/ p, a2g0e08A-0194-/1952,} H.Sandmann
A 42/08
Seite/page
1/6