FZ1200R12HE4P Datasheet, PDF (1/9 Pages) Infineon Technologies AG – IHM-B Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und bereits aufgetragenem Thermal Interface Material

FZ1200R12HE4P
IHM-BModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4Diodeundbereitsaufgetragenem
ThermalInterfaceMaterial
IHM-BmodulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandpre-appliedThermal
InterfaceMaterial
TypischeAnwendungen
• Hochleistungsumrichter
• Motorantriebe
ElektrischeEigenschaften
• ErweiterteSperrschichttemperaturTvjop
• NiedrigeSchaltverluste
MechanischeEigenschaften
• GehäusemitCTI>400
• HoheLeistungsdichte
• IHMBGehäuse
• RoHSkonform
• Thermisches Interface Material bereits
aufgetragen
VCES = 1200V
IC nom = 1200A / ICRM = 2400A
TypicalApplications
• Highpowerconverters
• Motordrives
ElectricalFeatures
• ExtendedoperatingtemperatureTvjop
• Lowswitchinglosses
MechanicalFeatures
• PackagewithCTI>400
• Highpowerdensity
• IHMBhousing
• RoHScompliant
• Pre-appliedThermalInterfaceMaterial
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
ContentoftheCode
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
Digit
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
Datasheet
www.infineon.com
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V3.0
2016-10-17