FS50R12KE3 Datasheet, PDF (1/10 Pages) Infineon Technologies AG – Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS50R12KE3
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Kollektor Emitter Sperrspannung
collector emitter voltage
T_vj= 25°C
Kollektor Dauergleichstrom
DC collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
T_c= 80°C
T_c= 25°C
t_p= 1ms, T_c= 80°C
Gesamt Verlustleistung
total power dissipation
T_c= 25°C; Transistor
Gate Emitter Spitzenspannung
gate emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
t_p= 1ms
Grenzlastintegral
I²t value
V_R= 0V, t_p= 10ms, T_vj= 125°C
Isolations Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f= 50Hz, t= 1min.
V_CES
1200
V
I_{C, nom}
50
A
I_C
75
A
I_CRM
100
A
P_tot
270
W
V_GES
+20
V
I_F
50
A
I_FRM
100
A
I²t
700
A²s
V_ISOL
2,5
kV
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
Kollektor Emitter Sättigungsspannung
collector emitter saturation voltage
I_C= 50A, V_GE= 15V, T_vj= 25°C
I_C= 50A, V_GE= 15V, T_vj= 125°C
Gate Schwellenspannung
gate threshold voltage
I_C= 2,0mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C
Gateladung
gate charge
V_GE= -15V...+15V
Eingangskapazität
input capacitance
f= 1MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25V, V_GE= 0V
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
f= 1MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25V, V_GE= 0V
Kollektor Emitter Reststrom
collector emitter cut off current
V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_vj= 25°C
Gate Emitter Reststrom
gate emitter leakage current
V_CE= 0V, V_GE= 20V, T_vj= 25°C
min. typ. max.
-
V_CEsat
-
1,7 2,15
V
2,0
-
V
V_GE(th)
5,0
5,8
6,5
V
Q_G
- 0,47
-
µC
C_ies
- 3,50
-
nF
C_res
-
0,13
-
nF
I_CES
-
-
5
mA
I_GES
-
-
400 nA
prepared by: MOD-D2; M. Münzer
approved: SM TM; Robert Severin
date of publication: 2002-09-03
revision: 3.0
1 (8)
DB_FS50R12KE3_ 3.0.xls
2002-09-03