D850N Datasheet, PDF (1/8 Pages) Infineon Technologies AG – Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode

N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D850N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Per_Kiod_eis_nc_nhe_daS_tp_eitz_nensperrspannung
T_vj = -25°C... T_{vj max}
repetitive peak reverse voltages
Durc^Ehla^lß^estr^kom^t-^rGⁱr^sen^cze^hffek^etivw^Eert ^igenschaften
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
T_C = 100 °C
Dauergrenzstrom
average on-state current
T_C = 55 °C, θ = 180°sin, t_P = 10 ms
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
T_vj =25 °C, t_P = 10 ms
T_vj = T_{vj max} t_P = 10 ms
T_vj = 25 °C, t_P = 10 ms
T_vj = T_{vj max}, t_P = 10 ms
V_RRM 2800
3200
I_FRMSM
I_FAVM
I_FAVM
I_FRMS
I_FSM
I²t
3600 V
4000 V 1)
1790 A
850 A
1210 A
1900 A
15400 A
12800 A
1186 10³A²s
819 10³A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
T_vj = T_{vj max} , i_F = 3,5 kA
T_vj = T_{vj max} , i_F = 850 A
Schleusenspannung
threshold voltage
T_vj = T_{vj max}
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie 200 A ≤ i_F ≤ 4000 A
on-state characteristic
T_vj = T_{vj max}
T_vj = T_{vj max}
v _F = A + B ⋅ i_F + C ⋅ ln ( i_F + 1 ) + D ⋅ i_F
Sperrstrom
ThermischeTvjEigenschaften = Tvj max , vR = VRRM
reverse current
v_F
V_(TO)
r_T
A=
B=
C=
D=
i_R
max.
max.
2,62 V
1,28 V
0,84 V
0,485 mΩ
1,127E-01
5,455E-04
1,541E-01
-1,097E-02
max.
50 mA
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
1) 4000V auf Anfrage / 4000V on request
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
R_thJC
R_thCH
T_{vj max}
T_{c op}
T_stg
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,038 °C/W
0,035 °C/W
0,064 °C/W
0,061 °C/W
0,085 °C/W
0,082 °C/W
max.
max.
0,005 °C/W
0,010 °C/W
160 °C
-40...+160 °C
-40...+160 °C
prepared by: H.Sandmann
approved by: M.Leifeld
date of publication: 2008-09-15
revision:
3.0
IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann
A 49/08
Seite/page 1/8