D4810N Datasheet, PDF (1/8 Pages) Infineon Technologies AG – Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode

N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D4810N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Per_Kiod_eis_nc_nhe_daS_tp_eitz_nensperrspannung
T_vj = -40°C... T_{vj max}
repetitive peak reverse voltages
DurcEhlalßestrkomt-rGirsenczehffeketivwEert igenschaften
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
T_C = 100°C
average on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
T_C = 55 °C, θ = 180°sin, t_P = 10 ms
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
T_vj =25 °C, t_P = 10 ms
T_vj =T_{vj max}, t_P = 10 ms
T_vj = 25 °C, t_P = 10 ms
T_vj = T_{vj max}, t_P = 10 ms
V_RRM 2200
2400
I_FRMSM
I_FAVM
I_FAVM
I_FRMS
I_FSM
I²t
2600 V
2800 V
8400 A
4810 A
6940 A
10900 A
80000 A
60000 A
32000 10³A²s
18000 10³A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie 1500 A ≤ i_F ≤ 20000 A
on-state characteristic
T_vj = T_{vj max} , i_F = 10 kA
T_vj = T_{vj max} , i_F = 4 kA
T_vj = T_{vj max}
T_vj = T_{vj max}
T_vj = T_{vj max}
v _F = A + B ⋅ i_F + C ⋅ ln ( i_F + 1 ) + D ⋅ i_F
Sperrstrom
reverse current
T_vj = T_{vj max} , v_R = V_RRM
Thermische Eigenschaften
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
v_F
V_(TO)
r_T
A=
B=
C=
D=
i_R
R_thJC
R_thCH
T_{vj max}
T_{c op}
T_stg
max.
max.
1,450 V
1,078 V
0,83 V
0,062 mΩ
1,181E+00
1,391E-05
-9,794E-02
1,031E-02
max.
200 mA
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,0080 °C/W
0,0073 °C/W
0,0147 °C/W
0,0136 °C/W
0,0174 °C/W
0,0160 °C/W
max.
max.
0,0025 °C/W
0,0050 °C/W
160 °C
-40...+150 °C
-40...+150 °C
prepared by: H.Sandmann
approved by: M.Leifeld
date of publication: 2008-08-12
revision:
1.0
IFBIP D AEC / 2008-08-12, H.Sandmann
A 34/08
Seite/page 1/8