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D450S Datasheet, PDF (1/5 Pages) Infineon Technologies AG – Schnelle Diode Fast Diode
S
Schnelle Diode
Fast Diode
Datenblatt / Data sheet
D450S
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
PeriKodeisncnhedaStpeitznensperrspannung
Tvj = -25°C... Tvj max
repeEtitivleepkeatkrreivsercsehvoeltageEs igenschaften
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 100°C
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = +25°C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max , tP = 10 ms
Tvj = +25°C, tP = 1 ms
Tvj = Tvj max , tP = 1 ms
Tvj = +25°C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max , tP = 10 ms
Tvj = +25°C, tP = 1 ms
Tvj = Tvj max , tP = 1 ms
VRRM
IFRMSM
IFAVM
IFAVM
IFRMS
IFSM
I²t
1600 V
2000 V
651 A
443 A
670 A
1050 A
5600 A
4600 A
12750 A
10470 A
156,8 A²s
105,8 A²s
81,28 A²s
54,81 A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iF = 1,2 kA
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
Typischer Wert der Durchlaßverzögerungsspannung
typical value of forward recovery voltage
IEC 747-2
Tvj = Tvj max, diF/dt = 50 A/µs, vR = 0 V
Durchlaßverzögerungszeit
IEC 747-2, Methode / Method II
forward recovery time
iFM = 1200 A Tvj = Tvj max,
diF/dt = 50 A/µs, vR = 0V
Sperrstrom
reverse current
Tvj = +25°C
Tvj = Tvj max , vR = VRRM
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IEC 747-2, Tvj = Tvj max
iFM = 410 A, -diF/dt = 50 A/µs
vR = 100 V, vRM ≤ 200V
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
IEC 747-2, Tvj = Tvj max
iFM = 410 A, -diF/dt = 50 A/µs
vR = 100 V, vRM ≤ 200V
Sperrverzögerungszeit
reverse recovery time
IEC 747-2, Tvj = Tvj max
iFM = 410 A, -diF/dt = 50 A/µs
vR = 100 V, vRM ≤ 200V
1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / upper limit of scutter range (standard value)
vF
V(TO)
rT
VFRM
tfr
iR
IRM
Qr
trr
max. 2,25 V
1V
0,9 mΩ
11 V 1)
4,2 µs 1)
max.
10 mA
100 mA
123 A 1)
650 µAs 1)
6,2 µs 1)
prepared by: H.Sandmann
approved by: M.Leifeld
IFBIP SDeAitEe C/ p/a2g0e1A0-1041/-9128, H.Sandmann
date of publication:
revision:
2010-01-18
3.1
A 08/10
Seite/page
1/5