D1050N Datasheet, PDF (1/8 Pages) Infineon Technologies AG – Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode

N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D1050N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Per_Kiod_eis_nc_nhe_daS_tp_eitz_nensperrspannung
T_vj = -40°C... T_{vj max}
repetitive peak reverse voltages
DurcEhlalßestrkomt-rGirsenczehffeketivwEert igenschaften
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
T_C = 130 °C
average on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
T_C = 55 °C, θ = 180°sin, t_P = 10 ms
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
T_vj =25 °C, t_P = 10 ms
T_vj = T_{vj max} t_P = 10 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
T_vj = 25 °C, t_P = 10 ms
T_vj = T_{vj max}, t_P = 10 ms
V_RRM 1200
1400
I_FRMSM
I_FAVM
I_FAVM
I_FRMS
I_FSM
I²t
1600 V
1800 V
2590 A
1050 A
2000 A
3140 A
24000 A
18500 A
2880 10³A²s
1710 10³A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie 500 A ≤ i_F ≤ 5000 A
on-state characteristic
T_vj = T_{vj max} , i_F = 5,0 kA
T_vj = T_{vj max} , i_F = 1,0 kA
T_vj = T_{vj max}
T_vj = T_{vj max}
T_vj = T_{vj max}
v _F = A + B ⋅ i_F + C ⋅ ln ( i_F + 1 ) + D ⋅ i_F
Sperrstrom
reverse current
T_vj = T_{vj max} , v_R = V_RRM
Thermische Eigenschaften
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
Lagertemperatur
storage temperature
v_F
V_(TO)
r_T
A=
B=
C=
D=
i_R
R_thJC
R_thCH
T_{vj max}
T_{c op}
T_stg
max.
max.
1,76 V
1,00 V
0,81 V
0,17 mΩ
-6,685E-01
2,114E-04
2,752E-01
-1,385E-02
max.
60 mA
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,038 °C/W
0,035 °C/W
0,064 °C/W
0,061 °C/W
0,085 °C/W
0,082 °C/W
max.
max.
0,005 °C/W
0,010 °C/W
180 °C
-40...+180 °C
-40...+180 °C
prepared by: H.Sandmann
approved by: M.Leifeld
date of publication: 2009-06-16
revision:
2
IFBIP D AEC / 2009-02-27 / H.Sandmann
A 02/09
Seite/page 1/8