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56DN06 Datasheet, PDF (1/7 Pages) Infineon Technologies AG – Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode
N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
56DN06
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
PerKiodeisncnhedaStpeitznensperrspannung
Tvj = -40°C... Tvj max
repetitive peak reverse voltages
DurcEhlalßestrkomt-rGirsenczehffeketivwEert igenschaften
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
TC = 126 °C
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie 2000 A ≤ iF ≤ 32000 A
on-state characteristic
v F = A + B ⋅ iF + C ⋅ ln ( iF + 1 ) + D ⋅ iF
Sperrstrom
reverse current
Tvj = Tvj max , iF = 10 kA
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max , vR = VRRM
VRRM
IFRMSM
IFAVM
IFSM
I²t
600 V
10050 A
6400 A
81000 A
70000 A
32800 10³A²s
24500 10³A²s
vF
max. 1,15 V
V(TO)
rT
A=
B=
C=
D=
iR
0,7 V
0,04 mΩ
4,617E-01
2,002E-05
7,441E-03
4,190E-03
max.
100 mA
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
Kühlfläche / cooling surface
Thermische Eigenschaften thermal resistance, junction to case
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
RthJC
RthCH
Tvj max
Tc op
Tstg
max. 0,0062 °C/W
max. 0,0055 °C/W
max. 0,0025 °C/W
180 °C
-40...+180 °C
-40...+180 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
Gewicht
weight
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
Seite 2
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F
40...60 kN
G
typ.
110 g
50 m/s²
prepared by: H.Sandmann
approved by: M.Leifeld
date of publication: 2011-02-17
revision:
3.0
IFBIP D AEC / 2011-02-17, H.Sandmann A 05/11
Seite/page
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