HY62UF16806A Datasheet, PDF (1/11 Pages) Hynix Semiconductor – 512Kx16bit full CMOS SRAM

HY62UF16806A Series
512Kx16bit full CMOS SRAM
Document Title
512K x16 bit 3.0V Super Low Power Full CMOS slow SRAM
Revision History
Revision No History
00
Initial Draft
Draft Date
Remark
Feb.21.2001 Preliminary
01
Change Logo
- Hyundai à Hynix
Apr.28.2001
02
Change DC Parameter
Jan.28.2002
- Isb1(LL) : 40uA à 25uA
- Isb1(Typ) : 8uA à 1uA
- Icc
: 5mA à 4mA
- Icc1(1us) : 8mA à 4mA
- Icc1(Min) : 50mA à 40mA
Change Data Retention
- IccDR(LL) : 25uA à 15uA
Change AC Parameter
- tOE
: 35ns à 25ns@55ns
: 40ns à 35ns@70ns
- tCW
: 50ns à 45ns@55ns
- tAW
: 50ns à 45ns@55ns
- tBW
: 50ns à 45ns@55ns
- tWP
: 45ns à 45ns@55ns
- tCHZ
- tOHZ
- tBHZ
: 30ns à 20ns@55ns , 30ns à 25ns@70ns
: 30ns à 20ns@55ns , 30ns à 25ns@70ns
: 30ns à 20ns@55ns , 30ns à 25ns@70ns
03
Change DC Parameter
- Icc1(Min) : 40mA à 35mA
Mar.15.2002
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Rev.03 /Mar. 2002
Hynix Semiconductor