HP102 Datasheet, PDF (1/2 Pages) SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD – NPN SILICON TRANSISTOR

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
NPN DARLINGTON TRANSISTOR
HP102
█ APPLICATIONS
High Voltage switching.Motor driving.
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（T_a=25℃）
T_stg——Storage Temperature………………………… -55~150℃
T_j——Junction Temperature……………………………… 150℃
P_C——Collector Dissipation（T_c=25℃）…………………… 80W
P_C——Collector Dissipation（Ta=25℃）………………………2W
V_CBO——Collector-Base Voltage………………………… 100V
V_CEO——Collector-Emitter Voltage……………………… 100V
V_EBO——Emitter-Base Voltage……………………………… 5V
I_C——Collector Curren（t DC）………………………………… 8A
I_C——Collector Current（Pulse）……………………………15A
I_B——Base Current（DC）………………………………………1A
TO-220
1―Base，B
2―Collector，C
3―Emitter, E
█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（T_a=25℃）
Symbol
Characteristics
Min Typ Max Unit
Test Conditions
BVCEO(SUS)
ICEO
ICBO
IEBO
HFE（1）
HFE（2）
VCE(sat1)
VCE(sat2)
VBE(on)
Collector-Emitter Sustaining Voltage
Collector Cutoff Current
Collector Cutoff Current
Emitter-Base Cutoff Current
DC Current Gain
Collector- Emitter Saturation Voltage
Base- Emitter On Voltage
100
1000
200
Cob Output Capacitance
V I_C=30mA, I_B=0
50 μA V_CE=50V, I_B=0
50 μA V_CB=100V, I_E=0
2
mA V_EB=5V, I_C=0
20000
V_CE=4V, I_C=3A
V_CE=4V, I_C=8A
2
V I_C=3A, I_B=6mA
2.5 V I_C=8A, I_B=80mA
2.8 V V_CE=4V,I_C=8A,
200
pF
V_CB=10V, I_E=0，
f=0.1MHz