HD313 Datasheet, PDF (1/1 Pages) SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD – NPN SILICON TRANSISTOR

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
N PN S I L I C O N T R A N S I S T O R
HD313
█ APPLICATIONS
Low Frequency Power Amplifier.
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（T_a=25℃）
T_stg——Storage Temperature………………………… -55~150℃
T_j——Junction Temperature……………………………… 150℃
P_C——Collector Dissipation（T_c=25℃）…………………… 30W
P_C——Collector Dissipation（T_A=25℃）………………… 1.75W
V_CBO——Collector-Base Voltage……………………………60V
V_CEO——Collector-Emitter Voltage………………………… 60V
V_EBO——Emitter-Base Voltage……………………………… 5V
I_C——Collector Current……………………………………… 3A
TO-220
1―Base，B
2―Collector，C
3―Emitter, E
█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（T_a=25℃）
Symbol
Characteristics
Min Typ Max Unit
Test Conditions
ICEO Collector Cut-off Current
ICBO Collector Cut-off Current
IEBO Emitter Cut-off Current
HFE（1） DC Current Gain
60
HFE（2） DC Current Gain
60
VCE(sat) Collector- Emitter Saturation Voltage
VBE Base-Emitter Voltage
ft
Current Gain-Bandwidth Product
Cob Output Capacitance
5 mA V_CE=60V, I_B=0
0.1 mA V_CB=60V, I_E=0
1 mA V_EB=4V, I_C=0
320
V_CE=2V, I_C=1A
V_CE=2V, I_C=0.1A
0.4 1 V I_C=2A, I_B=0.2A
1.2 V V_CE=2V, I_C=1A
8
MHz V_CE=5V, I_C=0.5A,
65
pF V_CB=10V, I_E=0，f=1MHz
█ hFE Classification
D
60—120
E
100—200
F
160—320