HC4242 Datasheet, PDF (1/1 Pages) SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD – NPN SILICON TRANSISTOR

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R
HC4242
█ APPLICATIONS
High Speed Switching And Power Amplifier.
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（T_a=25℃）
T_stg——Storage Temperature………………………… -55~150℃
T_j——Junction Temperature…………………………………150℃
P_C——Collector Dissipation（Tc=25℃）……………………………40W
V_CBO——Collector-Base Voltage………………………………450V
V_CEO——Collector-Emitter Voltage……………………………400V
V_EBO——Emitter-Base Voltage……………………………………10V
I_C——Collector Current………………………………………………7A
Ib——Base Current………………………………………………2A
TO-220
1―Base，B
2―Collector，C
3―Emitter，E
█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（T_a=25℃）
Symbol
Characteristics
Min Typ Max Unit
Test Conditions
BVCBO Collector-Base Breakdown Voltage 450
BVCEO Collector-Emitter Breakdown Voltage 400
BVEBO Emitter-Base Breakdown Voltage
10
ICBO Collector Cut-off Current
IEBO Emitter Cut-off Current
HFE（1） DC Current Gain
15
HFE（2）
10
HFE（3）
10
VCE(sat) Collector- Emitter Saturation Voltage
VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage
V I_C=1mA, I_E=0
V I_C=100mA, I_B=0
V I_E=1mA，I_C=0
100 μA V_CB=450V, I_E=0
100 μA V_EB=10V, I_C=0
55
V_CE=5V, I_C=0.8A
V_CE=5V, I_C=2A
V_CE=5V, I_C=4A
0.8 V I_C=4A, I_B=0.8A
1.2 V I_C=4A, I_B=0.8A
█ hFE Classification
A
15—28
B1
22—35
B2
29—42
B3
36—49
B4
43—55