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HBU406H Datasheet, PDF (1/2 Pages) SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD – NPN SILICON TRANSISTOR
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R
HBU406H
█ APPLICATIONS
High Voltage Swltching .
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃）
Tstg——Storage Temperature………………………… -55~150℃
Tj——Junction Temperature…………………………………150℃
PC——Collector Dissipation（Tc=25℃）……………………………60W
VCBO——Collector-Base Voltage………………………………400V
VCEO——Collector-Emitter Voltage……………………………200V
VEBO——Emitter-Base Voltage………………………………………6V
IC——Collector Current（DC）………………………………………7A
ICP——Collector Curren（t Pulse）……………………………………10A
Ib——Base Current………………………………………………4A
TO-220
1―Base，B
2―Collector，C
3―Emitter，E
█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃）
Symbol
Characteristics
Min Typ Max Unit
Test Conditions
ICES（1） Collector Cut-off Current
ICES（2）
ICES（3）
IEBO Emitter Cut-off Current
HFE DC Current Gain
10
VCE(sat) Collector- Emitter Saturation Voltage
VBE(on) Base-Emitter On Voltage
fT Current Gain-Bandwidth Product
10
tOFF Turn OFF Time
5 mA VCE=400V, VEB=0
100 μA VCE=250V, VEB=0
1 mA VCE=250V, VEB=0（Tc=125℃）
1 mA VEB=6V, IC=0
VCE=1V, IC=5A
1
V IC=5A, IB=0.8A
1.2 V VCE=5V, IC=0.8A
MHz VCE=10V,IC=0.5A
0.4 μS IC=5A, IB=0.8A
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