H3950 Datasheet, PDF (1/1 Pages) SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD – NPN SILICON TRANSISTOR

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R
H3950
█ APPLICATIONS
High-definition CRT display video output，wide-band amplifier.
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（T_a=25℃）
T_stg——Storage Temperature………………………… -55~150℃
T_j——Junction Temperature……………………………… 150℃
P_C——Collector Dissipation（T_C=25℃）…………………… 5W
P_C——Collector Dissipation（T_A=25℃）………………… 1.3W
V_CBO——Collector-Base Voltage………………………… 30V
V_CEO——Collector-Emitter Voltage……………………… 20V
V_EBO——Emitter-Base Voltage……………………………… 3V
I_C——Collector Current……………………………………500mA
TO-126ML
1―Emitter，E
2―Collector，C
3―Base，B
█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（T_a=25℃）
Symbol
Characteristics
Min Typ Max Unit
Test Conditions
ICBO Collector Cut-off Current
0.1 μA V_CB=20V, I_E=0
IEBO Emitter Cut-off Current
5 μA V_EB=2V, I_C=0
HFE（1） DC Current Gain
40
200
V_CE=5V, I_C=50mA
HFE（2） DC Current Gain
20
V_CE=5V, I_C=500mA
VCE(sat) Collector- Emitter Saturation Voltage
0.3 0.8 V I_C=300mA, I_B=30mA
VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage
0.9 1.2 V I_C=300mA, I_B=30mA
fT Current Gain-Bandwidth Product
2.0
GHz V_CE=5V,I_C=100mA，
Cob Output Capacitance
6.0
pF V_CB=10V, f=1MHz
█ hFE Classification
C
40—80
D
60—120
E
100—200