H1357 Datasheet, PDF (1/2 Pages) SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD – PNP SILICON TRANSISTOR

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
PNP SILICON TRANSISTOR
H1357
█ APPLICATIONS
. Audio Power Amplifie.
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（T_a=25℃）
T_stg——Storage Temperature………………………… -55~150℃
T_j——Junction Temperature……………………………… 150℃
P_C——Collector Dissipation（T_c=25℃）…………………… 10W
P_C——Collector Dissipation（T_A=25℃）…………………… 1.5W
V_CBO——Collector-Base Voltage………………………… -35V
V_CEO——Collector-Emitter Voltage……………………… -20V
V_EBO——Emitter-Base Voltage……………………………… -8V
I_C——Collector Curren（t Pulse）……………………………… -8A
I_C——Collector Current（DC）……………………………… -5A
Ib——Base Current……………………………………………-1A
TO-126ML
1―Emitter，E
2―Collector，C
3―Base，B
█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（T_a=25℃）
Symbol
Characteristics
Min Typ Max Unit
Test Conditions
BVCEO Collector-Emitter Breakdown Voltage -20
V I_C=-10mA, I_B=0
ICBO Collector Cut-off Current
-100 nA V_CB=-35V, I_E=0
IEBO Emitter Cut-off Current
-100 nA V_EB=-8V, I_C=0
HFE（1） DC Current Gain
140
600
V_CE=-2V, I_C=-0.5A
HFE（2） DC Current Gain
70
V_CE=-2V, I_C=-4A
VCE(sat) Collector- Emitter Saturation Voltage
-1 V I_C=-4A, I_B=-0.1A
VBE Base-Emitter Voltage
-1.5 V V_CE=-2V, I_C=-4A
fT Current Gain-Bandwidth Product
170
MHz V_CE=-2V,I_C=-500mA
Cob Output Capacitance
62
pF V_CB=-10V, I_E=0，f=1MHz
Pulse Test：PW=10Ms（max）,Duty Cycle=30%（min）
█ hFE Classification
Y
140—240
GR
200—400
BL
300—600