D400AG-00 Datasheet, PDF (1/1 Pages) SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD – NPN SILICON TRANSISTOR

汕头华汕电子器件有限公司
NPN SILICON TRANSISTOR
13009A 晶体管芯片
█ 芯片简介
█ 管芯示意图
芯片尺寸：4 英寸（100mm）
芯片代码：D400AG-00
芯片厚度：240±20µm
管芯尺寸：4000×4000µm ²
焊位尺寸：B 极 783×1100µm ²ï¼ŒE 极 754×1276µm ²
电极金属：铝
背面金属：钒-镍-银
典型封装：KSH13009
█ 极限值（T_a=25℃）（封装形式：TO-220）
T_stg——贮存温度………………………………… -65~150℃
T_j——结温……………………………………………… 150℃
P_C——集电极耗散功率（T_c=25℃）………………… 100W
V_CBO——集电极—基极电压…………………………… 700V
V_CEO——集电极—发射极电压………………………… 400V
V_EBO——发射极—基极电压…………………………………9V
I_C——集电极电流（DC）…………………………………12A
I_B——基极电流………………………………………………6A
█ 电参数（T_a=25℃）（封装形式：TO-220）
参数符号
BV_CEO
I_EBO
h_FE
V_CE(sat)
V_BE(sat)
C_ob
f_T
t_ON
t_STG
t_F
符号说明
集电极—发射极击穿电压
发射极—基极截止电流
直流电流增益
集电极—发射极饱和压降
基极—发射极饱和压降
共基极输出电容
特征频率
导通时间
贮存时间
下降时间
最小值
400
10
6
4
典型值
180
最大值
1
40
30
1
1.5
3
1.2
1.6
1.1
3.0
0.7
单位
V
mA
V
V
V
V
V
pF
MHz
µS
µS
µS
测试条件
I_C=10mA，I_B=0
V_EB=9V，I_C=0
V_CE=5V，I_C=5A
V_CE=5V，I_C=8A
I_C=5A，I_B=1A
I_C=8A，I_B=1.6A
I_C=12A，I_B=3A
I_C=5A，I_B=1A
I_C=8A，I_B=1.6A
V_CB=10V，f=0.1MHz
V_CE=10V，I_C=0.5A
V_CC=125V，I_C=8A
I_B1=-I_B2=1.6A