1N4727 Datasheet, PDF (1/5 Pages) SEMTECH ELECTRONICS LTD. – SILICON PLANAR POWER ZENER DIODES

特性：
◆ 小电流下的齐纳阻抗低
◆ 高可靠性
◆ 耐焊接热 250℃ / 10S，
机械性能:
◆ 封 装: 玻璃封装
◆端 子：电镀可焊性符合 MIL-STD-202E, 方法 208C
◆ 极 性：色环表示阴极
◆ 安装位置：任意
1N4727 THRU 1N4764
参数名称
齐纳电流
耗散功率@TL=75℃ ( 注释 1 )
最大正向压降@IF=200mA
热阻抗 ( 结至周围环境 ,注释 1)
使用及储存温度范围
最大额定值及特性
( 测量环境温度 25℃，除非另有规定 ).
符号
I_Z MAX
Pt
VF
Rθ（ja）
TJ,TSTG
数值
见表
1.0
1.5
32
-55～+200
单位
mA
W
V
℃/W
℃
1